【摘要】 本发明公开了一种氮化硅膜的制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法。其中氮化硅膜的制备方法包括以下步骤：S1、将硅片置入管式炉内；S2、向管式炉内通入氮气，并将管式炉在氮气气氛下升温至340℃～360℃，恒温500s～2000s；以及S3、利用PECVD法在硅片上依次形成第一氮化硅膜层和第二氮化硅膜层。通过在硅片上设置第一氮化硅膜层之前对管式炉恒温，使硅片经过恒温步骤后硅片四周和中间的温度一致，保证了硅片四周和中间的氮化硅膜生长速率一致，改善了硅片边缘因温度较高生长速率过快，解决了硅片表面各处氮化硅膜的厚度和折射率不同引起颜色偏差的问题，降低了硅片等级，提高了硅片的合格率。 【专利类型】发明授权 【申请人】英利能源(中国)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】071051 河北省保定市朝阳北大街3399号 【申请人地区】中国 【申请人城市】保定市 【申请人区县】竞秀区 【申请号】CN201210350692.3 【申请日】2012-09-19 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102856174B 【公开公告日】2014-12-31 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102856174B 【授权公告日】2014-12-31 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/205; H01L21/318; H01L31/0216 【发明人】赵学玲; 范志东; 李倩; 李永超; 王涛; 解占壹 【主权项内容】 。一种氮化硅膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将硅片置入管式炉内；S2、向所述管式炉内通入氮气，并将所述管式炉在氮气气氛下升温至340℃～360℃，恒温500s～2000s；以及S3、利用PECVD法在所述硅片上依次形成第一氮化硅膜层和第二氮化硅膜层；所述步骤S3包括：S31、向所述管式炉内通入氨气，对所述硅片表面进行预处理；S32、向所述管式炉内通入包括硅烷和氨气的第一混合气体，在经预处理的所述硅片表面上形成所述第一氮化硅膜层；S33、向所述管式炉内通入包括硅烷和氨气的第二混合气体，在所述硅片形成有所述第一氮化硅膜层的一侧表面上形成所述第二氮化硅膜层；其中，所述步骤S32中进一步包括：按照体积流量比为1 : 3～1 : 5向所述管式炉内通入所述硅烷和所述氨气，其中所述硅烷的流量为800～1200sccm；在压强为1400～1600mTorr，射频功率为5800～6100W，沉积时间为120～200s条件下，在经预处理的所述硅片上形成所述第一氮化硅膜层；所述步骤S33中进一步包括：按照体积流量比为1 : 9～1 : 12向所述管式炉内通入所述硅烷和所述氨气，其中所述硅烷的流量为500～900sccm；在压强为1300～1500mTorr，射频功率为5800～6300W，沉积时间为600～800s条件下，在所述硅片形成有所述第一氮化硅膜层的一侧表面上形成所述第二氮化硅膜层。 【当前权利人】英利能源(中国)有限公司 【当前专利权人地址】河北省保定市朝阳北大街3399号 【专利权人类型】其他有限责任公司 【统一社会信用代码】91130600667708103C 【引证次数】4.0 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】13

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1790985964.html