【摘要】 本发明提供了一种去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法，背场结构位于硅片的第一表面，包括步骤在硅片的第一表面和第二表面均形成一层SiNX膜；在硅片第一表面的指定位置由第一激光生成贯穿第一表面至第二表面的过料孔；在硅片上与指定位置相对的第一指定区域由第二激光去除第一预设深度的硅层；对去硅层后的硅片进行印刷、烧结工序，形成MWT太阳能电池片。通过在硅片的第一表面和第二表面形成SiNX膜，有激光生成打料孔和去除背场上硅层的工作，实现了对背场的去除，同时生成打料孔和去除背场的工艺过程均通过激光来实现，简化了带有背场的MWT电池的去除背场工艺。 【专利类型】发明授权 【申请人】英利能源(中国)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】071051 河北省保定市朝阳北大街3399号 【申请人地区】中国 【申请人城市】保定市 【申请人区县】竞秀区 【申请号】CN201210018071.5 【申请日】2012-01-19 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102569519B 【公开公告日】2014-04-23 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102569519B 【授权公告日】2014-04-23 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】王子谦; 赵文超; 陈迎乐; 王建明; 陈剑辉; 沈燕龙; 李高非; 胡志岩; 熊景峰 【主权项内容】一种去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法，背场结构位于硅片的第一表面，其特征在于，包括步骤：1)在所述硅片的所述第一表面和第二表面均形成一层SiNX膜，获得带膜结构的硅片；2)在带膜结构所述硅片的第一表面的指定位置由第一激光生成贯穿所述第一表面至所述第二表面的过料孔，获得打孔后的硅片；3)由第二激光去除与所述指定位置相对的第一指定区域内第一预设深度的硅层，所述过料孔位于所述第一指定区域内，获得去硅层后的硅片；4)对去硅层后的所述硅片进行丝网印刷、烧结，形成MWT太阳能电池片。 【当前权利人】英利能源(中国)有限公司 【当前专利权人地址】河北省保定市朝阳北大街3399号 【专利权人类型】其他有限责任公司 【统一社会信用代码】91130600667708103C 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】7

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