【摘要】 本发明公开了一种改善出光率的发光二极管倒装芯片及其制备方法，用于改善芯片的出光率，提高光效。本发明提出在没有Ag反射层覆盖的发光二极管边缘区域设置了金属反射层，使有源层发出的光更多的被反射后通过蓝宝石衬底射出，提高了器件的发光效率。本发明主要应用于蓝宝石衬底LED倒装芯片。 【专利类型】发明申请 【申请人】晶能光电(江西)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】330029 江西省南昌市高新区艾溪湖北路699号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南昌市 【申请人区县】青山湖区 【申请号】CN201210328328.7 【申请日】2012-09-07 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103682004A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103682004B 【授权公告日】2017-06-06 【授权公告年份】2017.0 【IPC分类号】H01L33/10 【发明人】彭翔; 赵汉民; 张璟 【主权项内容】一种半导体发光器件，包括蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上形成的InGaAlN多层结构，所述InGaAlN多层结构从下至上包括N型GaN层、有源层和P型GaN层，在所述P型GaN层上形成的去除器件边缘的Ag层，在Ag层表面形成的保护金属层，在保护金属层表面部分区域刻蚀直至暴露出N型GaN层形成的N电极孔，形成于所述N电极孔中的金属N电极，形成于保护金属层上的钝化层，形成于N电极孔侧壁和金属N电极之间的钝化层，其特征在于：所述半导体发光器件还包括形成在器件边缘的金属反射层，所述器件边缘的金属反射层位于P型GaN层和保护金属层之间，覆盖了Ag层被去除的边缘区域。 【当前权利人】晶能光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台中市北屯区北屯路298巷13号1楼 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91360100784117732C 【引证次数】7.0 【被引证次数】15 【他引次数】7.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】13.0 【家族引证次数】10.0 【家族被引证次数】15

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