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一种用于去除硅片表面污斑的清洗剂专利

时间:2026-10-02    作者:admin 点击: ( 5 ) 次

【摘要】 本发明公开了一种用于去除硅片表面污斑的清洗剂,由聚乙烯醇衍生物为20-40%,辛基苯烷基聚氧乙烯磷酸酯为30-50%,OP为1-3%,十二烷基硫基乙酸钠为15-30%,水为2-10%组成。本发明制备工艺简单,成本低;用于单晶硅、多晶硅表面污斑的清洗,操作方便,去污快,效果好,同时还具有防止单晶硅、多晶硅表面形成污斑的功效。 【专利类型】发明授权 【申请人】江苏科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】212003 江苏省镇江市梦溪路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】镇江市 【申请人区县】京口区 【申请号】CN201210257504.2 【申请日】2012-07-24 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102746953B 【公开公告日】2014-01-01 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102746953B 【授权公告日】2014-01-01 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C11D1/83 【发明人】高延敏 【主权项内容】1.一种用于去除硅片表面污斑的清洗剂,其特征是由聚乙烯醇衍生物,辛基苯烷基聚氧乙烯磷酸酯,OP,十二烷基硫基乙酸钠和水组成,其各组分的质量百分比含量为: 聚乙烯醇衍生物 20-40%, 辛基苯烷基聚氧乙烯磷酸酯 30-50%, OP 1-3%, 十二烷基硫基乙酸钠 15-30%, 水 2-10%, 其中:所述的聚乙烯醇衍生物的分子结构为 分子量为5000-40000,m1 : m2=10 : 1,其反应产物是由聚乙烯醇与磷酸反应获得,反应具体过程为: 【当前权利人】江苏科技大学 【当前专利权人地址】江苏省镇江市梦溪路2号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12320000466007159D 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】3

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