【摘要】本发明公开了一种具有垂直导电沟道和增强耐压能力的半导体装置;本发明的半导体装置,为垂直型结构器件;本发明的半导体装置,具有垂直方向的导电沟道,电子由源极出发,流经水平沟道,并通过垂直深槽侧壁的沟道导通层强制转为垂直方向,通过器件底部
【摘要】 一种高效访问三层数据库的方法:随着中间件与Web技术的发展,三层或多层分布式应用体系越来越流行。而中间件作为分布体系应用的关键技术,以其独特的优势为各种分布式应用的开发注入了强大动力,极大地推动了应用系统集成的发展。该方法是基于JAVA中间件的三层结构访问数据库信息一种高效率的连接及运行实现。 (,) 【专利类型】发明申请 【申请人】镇江鼎拓科技信息有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】212009 江苏省镇江市新区丁卯经十二路468号双子楼A座516-9室 【申请人地区】中国 【申请人城市】镇江市 【申请人区县】丹徒区 【申请号】CN201210424765.9 【申请日】2012-10-26 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103793214A 【公开公告日】2014-05-14 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】G06F9/44; G06F17/30 【发明人】吴冠玉 【主权项内容】一种高效访问三层结构数据库的方法:其特征是应用服务器是一个远程数据模块,它是一个COM程序,它通过ADO与SQL语句和数据库服务器连接。它负责从数据库服务器存取数据并通过DataSetProvider组件将数据分割成数据包,然后通过DCOM协议传递到网络上的客户端。客户端的组件负责还原数据,这项工作由DCOMConnection来完成。 【当前权利人】镇江鼎拓科技信息有限公司 【当前专利权人地址】江苏省镇江市新区丁卯经十二路468号双子楼A座516-9室 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91321191053515366T
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