【摘要】本发明公开了一种化妆品涂抹简易装置，包括瓶盖、连接杆、涂抹本体和瓶体，所述瓶盖和连接杆一体成型，所述连接杆一端连接所述涂抹本体，另一端连接所述瓶盖，所述瓶体包括瓶颈和瓶身，所述瓶盖密封可拆卸连接于所述瓶颈开口，所述瓶颈与所述瓶身一体
【摘要】 本发明公开了一种具有垂直导电沟道和增强耐压能力的半导体装置；本发明的半导体装置，为垂直型结构器件；本发明的半导体装置，具有垂直方向的导电沟道，电子由源极出发，流经水平沟道，并通过垂直深槽侧壁的沟道导通层强制转为垂直方向，通过器件底部的漂移区进入漏极；相对于传统的水平沟道的平面型HEMT器件，本发明的半导体装置不仅有着更为优异的单位面积的电流导通能力，能够有效降低器件的比导通电阻Ron-sp，而且本装置能够充分利用漂移区长度耐压，消除了传统横向器件的二维表面场优化的固有问题。 【专利类型】发明申请 【申请人】浙江大学苏州工业技术研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】215163 江苏省苏州市高新区科技城科灵路78号苏高新软件园8号楼3层 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】虎丘区 【申请号】CN201210391026.4 【申请日】2012-10-16 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103730490A 【公开公告日】2014-04-16 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L29/778; H01L29/10; H01L21/335 【发明人】谢刚; 汤岑; 郭清; 汪涛; 崔京京; 盛况 【主权项内容】一种垂直型的半导体装置，其特征：栅极电极；源极电极和漏极电极；一系列III族氮化物层，其形成具有与所述源极电极，漏极电极形成欧姆接触，栅极电极形成肖特基接触的N面堆叠。 【当前权利人】浙江大学苏州工业技术研究院 【当前专利权人地址】江苏省苏州市高新区科技城科灵路78号苏高新软件园8号楼3层 【统一社会信用代码】12320500466958739C 【引证次数】4.0 【被引证次数】11 【他引次数】4.0 【被他引次数】11.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】11
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