【摘要】 本发明涉及一种基于智能剥离硅隔离芯片的耐高温抗腐蚀压力传感器，用于检测压力介质的压力，其包括依次设置的压力传感器芯片、金锗合金膜层、弹性膜片；压力传感器芯片为采用智能剥离技术形成的硅隔离芯片；弹性膜片具有第一面和第二面；压力传感器芯片为两片且对称地设置于弹性膜片的第一面的应力最大处；弹性膜片的第二面面向压力介质。本发明采用了基于智能剥离技术形成的硅隔离芯片，能够耐受较高的温度，适用于高温场合；采用了压力传感器芯片不与压力介质接触，具有防腐蚀功能；本发明的压力传感器电阻值控制精确，长期稳定性好，成本低，灵敏度高，可在高温且具有化学腐蚀气氛的恶劣条件下可靠的工作。 【专利类型】发明授权 【申请人】苏州文智芯微系统技术有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215000 江苏省苏州市高新区科创路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】虎丘区 【申请号】CN201210031035.2 【申请日】2012-02-13 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102539055B 【公开公告日】2014-04-09 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102539055B 【授权公告日】2014-04-09 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G01L9/00; B81B3/00 【发明人】郭述文 【主权项内容】一种基于智能剥离硅隔离芯片的耐高温抗腐蚀压力传感器，用于检测压力介质的压力，其特征在于：其包括依次设置的压力传感器芯片、金锗合金膜层、弹性膜片；所述的压力传感器芯片为采用智能剥离技术形成的硅隔离芯片；所述的弹性膜片具有第一面和第二面；所述的压力传感器芯片为两片且对称地设置于所述的弹性膜片的第一面的应力最大处；所述的弹性膜片的第二面面向所述的压力介质；所述的压力传感器芯片与所述的弹性膜片通过短暂液相过渡共晶键合工艺封装；所述的压力传感器芯片上依次淀积有粘附层、硅扩散阻挡层、金扩散阻挡层、第一金膜层、超薄锗层；所述的弹性膜片上电镀有第二金膜层；当所述的压力传感器芯片与所述的弹性膜片相键合时，所述的超薄锗层与所述的第一金膜层和所述的第二金膜层的界面处的金原子和锗原子发生共晶熔化，所述的超薄锗层中的锗原子向周围扩散而使锗原子浓度逐渐下降，最终金锗共晶由液态转变为固态形成所述的金锗合金膜层，所述的金锗合金膜层中锗原子的浓度低于3%；所述的压力传感器芯片采用如下工艺制成：向第一片硅晶圆片中注入氢离子形成微气泡层，再将该第一片硅晶圆片与含有所述的二氧化硅埋层和所述的衬底硅层的第二片硅晶圆片直接键合后加高温退火裂变，所述的第一片硅晶圆片与所述的第二片硅晶圆片之间形成激活层，向所述的激活层中注入硼离子形成所述的高掺杂单晶硅层，再采用等离子刻蚀方法将所述的高掺杂单晶硅层刻蚀成所述的电阻条。 -官网 【当前权利人】苏州文智芯微系统技术有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市高新区科创路18号 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】913205055810112338 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】5

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