【摘要】 本发明涉及一种高密度半导体封装结构的封装方法。包括如下步骤：S1、提供基板，具有焊盘；S2、提供至少一裸片，具有电极焊垫，将所述至少一裸片粘贴至基板上；S3、形成油墨走线，自S2步骤提供的裸片的电极焊垫引出并向下延伸至焊盘；S4、再次提供至少一裸片，具有电极焊垫，并将该至少一裸片粘贴至已被粘贴且位于基板上方的顶层的裸片；S5、再次形成油墨走线，自与S4步骤提供的裸片的电极焊垫引出并向下延伸至与S4步骤提供的裸片相邻且位于下层已形成的油墨走线或者焊盘上。本发明具有尺寸小、厚度薄、高密度、多引脚的优点的高密度半导体封装结构，同时工艺简单、周期短、环保且容易实现。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】智瑞达科技(苏州)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215126 江苏省苏州市工业园区长阳街133号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】昆山市 【申请号】CN201210199943.2 【申请日】2012-06-18 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103515257A 【公开公告日】2014-01-15 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L21/60; H01L21/56 【发明人】曹凯; 王利明 【主权项内容】一种高密度半导体封装结构的封装方法，其特征在于：所述封装方法包括如下步骤：S1、提供基板，具有粘贴面和自粘贴面向外暴露的焊盘；S2、提供至少一裸片，所述裸片具有相对设置的上表面和下表面、连接上表面和下表面的侧表面以及自下表面向外暴露的电极焊垫，将所述至少一裸片粘贴至所述基板上，所述裸片的下表面粘着在所述粘贴面上；S3、形成油墨走线，所述油墨走线自S2步骤提供的裸片的电极焊垫引出并在侧表面外侧向下延伸至所述基板的焊盘；S4、再次提供至少一裸片，该裸片也具有相对设置的上表面和下表面、连接上表面和下表面的侧表面以及自下表面向外暴露的电极焊垫，并将该至少一裸片的下表面粘贴至已被粘贴且位于基板上方的顶层的裸片的上表面；S5、再次形成油墨走线，该油墨走线自与S4步骤提供的裸片的电极焊垫引出并向下延伸至与S4步骤提供的裸片相邻且位于下层已形成的油墨走线或者所述基板的焊盘上。 【当前权利人】智瑞达科技(苏州)有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市工业园区长阳街133号 【专利权人类型】有限责任公司(中外合作) 【统一社会信用代码】913205947520209448 【引证次数】5.0 【被引证次数】4 【他引次数】5.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】4

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1790757029.html