【摘要】 本发明公开了一种SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺，包括以下步骤：①在一块体硅表面淀积一层SiO2层；②对上述SiO2层采用离子注入工艺进行P型杂质注入；③采用炉管退火工艺进行退火；④采用蒸发或者溅射工艺，在SiO2层表面淀积一层Al膜；⑤在上述Al膜表面淀积一层非晶硅层；⑥将上述SiO2层和Al膜形成的复合梁上面的非晶硅层以及下面的体硅采用腐蚀工艺去除；⑦采用烘箱退火工艺进行退火处理。该工艺能对SiO2/Al复合梁的残余应力进行调节，从而使复合梁曲率半径增大，反光板角度较小，进而提高了以SiO2/Al为形变梁的非制冷红外芯片的成像质量。同时，该工艺可以可根据器件应用，适当调整其中参数，来控制复合梁的应力出现张或者压应力。 【专利类型】发明申请 【申请人】昆山光微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215300 江苏省苏州市昆山市周庄镇大桥路145号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】昆山市 【申请号】CN201210256492.1 【申请日】2012-07-23 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103569944A 【公开公告日】2014-02-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103569944B 【授权公告日】2016-08-03 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】B81C1/00 【发明人】李志刚; 尚海平; 焦斌斌; 卢狄克; 孔延梅; 刘瑞文; 陈大鹏 【主权项内容】一种SiO2/Al双材料复合梁的应力调整工艺，其特征在于包括以下步骤：①在一块体硅(1)表面淀积一层SiO2层(2)；②对上述SiO2层采用离子注入工艺进行P型杂质注入；③采用炉管退火工艺进行退火；④采用蒸发或者溅射工艺，在SiO2层表面淀积一层Al膜(3)；⑤在上述Al膜表面淀积一层非晶硅层(4)；⑥将上述SiO2层和Al膜形成的复合梁上面的非晶硅层以及下面的体硅采用腐蚀工艺去除；⑦采用烘箱退火工艺进行退火处理。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所 【专利权人类型】有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】91320583692123166A 【引证次数】7.0 【被引证次数】2 【他引次数】7.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】2

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1790723620.html