【摘要】 本发明公开了一种窄带陷波滤光输出的发光二极管及其制备方法。在发光二极管芯片的出光面上复合了一层多层波导结构，包括介质过渡层、复合光栅层和介质保护层；复合光栅层为由金属条和介质条相间组成的金属/介质光栅膜层；介质过渡层在复合光栅层的下面，它与发光二极管芯片的出光面直接接触；介质保护层在复合光栅层的上面，它与周围环境或透明电极直接接触。多层波导结构层各层的厚度，光栅的占空比和周期参数，以满足光波导模传输的共振为条件。发明采用将亚波长金属/介质复合光栅结构直接集成制作于LED芯片表面，实现了LED本身出光具有滤波的效果，与传统的被动滤波器件相比，是一种高度集成的主动式有源滤波出光器件。 【专利类型】发明授权 【申请人】苏州大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】215123 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请号】CN201210018712.7 【申请日】2012-01-20 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102544265B 【公开公告日】2014-07-02 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102544265B 【授权公告日】2014-07-02 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L33/00; G02B5/18 【发明人】张桂菊; 曹冰; 王钦华 【主权项内容】1. 一种制备窄带陷波滤光输出的发光二极管的方法，所述窄带陷波滤光输出的发光二极管的芯片包括由n型区、p型区和量子阱结构组成的工作区，衬底，绝缘介质膜，透明电极和金属电极；在发光二极管芯片的出光面上复合一层多层波导结构，所述的多层波导结构层包括介质过渡层、复合光栅层和介质保护层；所述的复合光栅层为由金属条和介质条相间组成的金属/介质光栅膜层，光栅的周期为10～500纳米, 占空比0.1～0.9，光栅厚度为10～500纳米；所述的介质过渡层在复合光栅层的下面，它与发光二极管芯片的出光面直接接触；所述的介质保护层在复合光栅层的上面，它与周围环境或透明电极直接接触；其特征在于：多层波导结构的制备包括如下步骤：(1)确定用于制备窄带陷波滤光输出的发光二极管的发光波长；(2)选定用作发光二极管芯片的出光表面上所复合的一层多层波导结构中的介质和金属材料；(3)依据发光二极管所需输出的滤波出光中心波长和带宽、多层波导结构层各层的材料，以满足光波导模传输的共振为条件，确定多层波导结构层各层的厚度，光栅的占空比和周期参数；(4)按步骤(2)和(3)得到的介质过渡层材料和厚度参数，在发光二极管出光面上蒸镀相应的介质膜层，得到多层波导结构层的介质过渡层；(5)按确定的光栅占空比和厚度，在介质过渡层上进行金属栅条制备；(6)将金属栅条的间隙进行填充及整个表面蒸镀所确定的介质材料，得到复合于发光二极管芯片的出光表面上的多层波导结构层。 【当前权利人】苏州东辉光学有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市工业园区唯亭葑亭大道439号 【统一社会信用代码】123200004660073435 【引证次数】7.0 【自引次数】3.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】12

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