【摘要】 微信 本发明公开了一种IGBT及其元胞结构，和IGBT形成方法，其中，所述元胞结构包括：第一漂移区和位于第一漂移区下表面的第二漂移区，第一漂移区与第二漂移区的掺杂类型和浓度均相同；至少一个位于第一漂移区和第二漂移区之间的掺杂区，掺杂区的掺杂类型与第二漂移区的掺杂类型相同，且掺杂区的掺杂浓度大于第二漂移区的掺杂浓度；位于第二漂移区背离掺杂区一侧的集电区，集电区的掺杂类型与所述第二漂移区的掺杂类型相反，使得本发明所提供的IGBT具有良好的导通损耗与开关损耗之间的折中关系，整体性能比较高。 【专利类型】发明申请 【申请人】江苏物联网研究发展中心; 中国科学院微电子研究所; 江苏中科君芯科技有限公司 【申请人类型】企业,科研单位 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210520131.3 【申请日】2012-12-06 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103855202A 【公开公告日】2014-06-11 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L29/739; H01L29/06; H01L21/331 【发明人】朱阳军; 谈景飞; 张杰; 胡爱斌; 卢烁今 【主权项内容】一种IGBT元胞结构，其特征在于，包括：第一漂移区和位于所述第一漂移区下表面的第二漂移区，所述第一漂移区与所述第二漂移区的掺杂类型和浓度均相同；至少一个位于所述第一漂移区和第二漂移区之间的掺杂区，所述掺杂区的掺杂类型与所述第二漂移区的掺杂类型相同，且所述掺杂区的掺杂浓度大于所述第二漂移区的掺杂浓度；位于所述第二漂移区背离所述掺杂区一侧的集电区，所述集电区的掺杂类型与所述第二漂移区的掺杂类型相反。 【当前权利人】江苏物联网研究发展中心; 中国科学院微电子研究所; 江苏中科君芯科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座; 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所; 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2-501 【专利权人类型】; ; 有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】1232020046637256X7; 12100000400834434U; 91320213585596419Y 【被引证次数】4 【被自引次数】1.0 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】4

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