【摘要】 本发明提供一种功率晶体管，包括漏区、漂移区、沟道区及源区的外延结构；形成于所述外延结构中的间隔排列的两个深沟槽结构，所述深沟槽结构内为氧化层及电极材料或与所述沟道区掺杂类型相同半导体材料；沟槽栅结构，包括栅区沟槽、结合于所述栅区沟槽表面的栅氧层、以及填充于所述栅氧层表面的栅极材料，且所栅区沟槽包括于纵线延伸的第一段、连接所述第一段且于横向延伸的第二段以及连接所述第二段且于纵向延伸的第三段；以及分别形成于所述栅区沟槽第二段两侧的源区电极。本发明采用三段式弯折结构的沟槽栅结构，将原来呈横向排列的源区电极改成了呈纵向排列，可以有效减小晶体管的宽度、提高击穿电压、降低导通电阻难以及提高器件集成度。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡维赛半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区长江路21-1号创源大厦1001室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210237336.0 【申请日】2012-07-10 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103545354A 【公开公告日】2014-01-29 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L29/423; H01L29/78 【发明人】白玉明 【主权项内容】一种功率晶体管，其特征在于，所述功率晶体管至少包括：外延层结构，包括：第一导电类型的漏区；第一导电类型的漂移区，结合于所述漏区；第二导电类型的沟道区，结合于所述漂移区；第一导电类型的源区，结合于所述沟道区；两个深沟槽结构，间隔形成于所述外延层结构中，所述深沟槽结构从所述源区表面垂向延伸至所述漂移区，并从所述外延层一侧面纵向呈直线延伸至与该侧面相对的另一侧面；沟槽栅结构，形成于所述两深沟槽结构之间的外延层结构中，包括从所述源区表面垂向延伸至所述漂移区，从所述外延层一侧面纵向呈折线延伸至与该侧面相对的另一侧面的栅区沟槽、结合于所述栅区沟槽表面的栅氧层、以及填充于所述栅氧层表面的栅极材料，且所述栅区沟槽包括于纵线延伸的第一段、连接所述第一段且于横向延伸的第二段以及连接所述第二段且于纵向延伸的第三段；源区电极，分别形成于所述栅区沟槽中第二段的两侧，且所述源区电极同时与所述源区及所述沟道区电性接触。 【当前权利人】无锡维赛半导体有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区长江路21-1号创源大厦1001室 【专利权人类型】有限责任公司(中外合资) 【统一社会信用代码】913202145537777413 【引证次数】5.0 【被引证次数】1 【他引次数】5.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】1

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