【摘要】 本发明公开了一种具有动态补偿特性的线性稳压器，其包括：电平移位电路，误差放大器，动态补偿电路，电源抑制提升电路，以及功率管和分压电阻。其中，误差放大器输入前级接电平移位电路，误差放大器采用两级放大器形式实现，第一级为共源差分放大器形式，第二级负载为二极管连接形式的PMOS管。功率管栅极与另一PMOS栅极连接实现电流镜像，该PMOS管漏端连接到二极管形式连接的NMOS管栅漏极，同时该NMOS管栅漏极也连接到误差放大器第一级的输出端，作为第一级误差放大器的负载。本发明的优点：在不同负载条件下自动调节负反馈环路的频率稳定性使线性稳压器稳定工作。本发明的线性稳压器结构简单，适用于通用CMOS工艺。 【专利类型】发明授权 【申请人】无锡中科微电子工业技术研究院有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座9楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210374909.4 【申请日】2012-09-29 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102880219B 【公开公告日】2014-04-16 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102880219B 【授权公告日】2014-04-16 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G05F1/565 【发明人】黄伟; 潘文光 【主权项内容】一种具有动态补偿特性的线性稳压器，其特征是包括：第八NMOS管(M8)源极和第九NMOS管(M9)源极分别接偏置电流(Ib)，第八NMOS管(M8)栅极接基准电压(VREF)，第八NMOS管(M8)和第九NMOS管(M9)构成两个源极跟随器，第八NMOS管(M8)源极输出连接误差放大器第一级的正输入端，即第一PMOS管(M1)的栅极，第九NMOS管(M9)源极输出连接误差放大器第一级的负输入端，即第二PMOS管(M2)的栅极；第一PMOS管(M1)与第二PMOS管(M2)为共源差分对，源极连接到偏置尾电流(Id)；第一PMOS管(M1)的漏极与第三PMOS管(M3)的栅、漏极连接，第二PMOS管(M2)的漏极与第四PMOS管(M4)的漏极连接，第三PMOS管(M3)、第四PMOS管(M4)栅极共用；第四PMOS管(M4)的漏极为第一级误差放大器的输出，连接到第二级放大器的输入，即第五NMOS管(M5)的栅极，第五NMOS管(M5)的漏极与第六PMOS管(M6)的栅、漏极连接，第六PMOS管(M6)的栅极连接到第七PMOS管(M7)栅极和第一功率管(MP)的栅极；第七PMOS管(M7)的漏极与第二功率管(MC)的栅、漏极连接，第二功率管(MC)的栅、漏极同时连接第四PMOS管(M4)的漏极；第二功率管(MC)是一个二极管连接形式的频率补偿管；第一功率管(MP)的漏极为线性稳压器的输出端，与分压电阻串连接；所述分压电阻串由第一电阻(R1)、第二电阻(R2)串联组成，第一功率管(MP)漏极先连接到第一电阻(R1)，再通过第二电阻(R2)接地，第一电阻(R1)和第二电阻(R2)的共用端产生反馈电压，连接到第九NMOS管(M9)栅极，组成负反馈回路；所述第三PMOS管(M3)源极、第四PMOS管(M4)源极、第二功率管(MC)源极、第五NMOS管(M5)源极接地；所述第八NMOS管(M8)漏极、第九NMOS管(M9)漏极、第六PMOS管(M6)源极、第七PMOS管(M7)源极、第一功率管(MP)源极接电源电压(VDD)。 【当前权利人】无锡中科微电子工业技术研究院有限责任公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座9楼 【专利权人类型】有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】913202145602566028 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】19

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