【摘要】 本发明涉及一种晶圆临时键合方法，其包括如下步骤：a、提供并清洗第一晶圆；b、提供承载晶圆，并旋涂粘合剂；c、将第一晶圆与承载晶圆转移键合箱内，以形成第一键合体，并对第一键合体上的第一晶圆进行所需的减薄；d、将上述第一键合体上减薄后的第一晶圆利用激光划片机进行划片；e、将上述第一键合体转移到键合箱内，并使得键合箱内的温度高于粘合剂的软化温度；在键合箱内，利用平整晶圆在第一晶圆的表面均匀向下施压；f、提供所需的第二晶圆，并将所述第二晶圆与第一晶圆进行所需的键合，形成第二键合体；g、将上述第二键合体上进行解键合。工艺步骤操作方便，降低生产成本，避免减薄后的翘曲度影响，能形成永久键合，安全可靠。 【专利类型】发明授权 【申请人】江苏物联网研究发展中心 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210260218.1 【申请日】2012-07-26 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102751207B 【公开公告日】2014-11-05 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102751207B 【授权公告日】2014-11-05 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/603 【发明人】张昕; 欧文; 明安杰; 谭振新 【主权项内容】一种晶圆临时键合方法，其特征是，所述晶圆临时键合方法包括如下步骤：(a)、提供并清洗所需待键合的第一晶圆(1)；(b)、提供承载晶圆(2)，并在承载晶圆(2)的一表面上旋涂粘合剂(3)；(c)、将上述第一晶圆(1)与承载晶圆(2)转移键合箱内，对第一晶圆(1)与承载晶圆(2)进行临时键合，以形成第一键合体，并对第一键合体上的第一晶圆(1)进行所需的减薄；(d)、将上述第一键合体上减薄后的第一晶圆(1)利用激光划片机进行划片；(e)、将上述第一键合体转移到键合箱内，并使得键合箱内的温度高于粘合剂(3)的软化温度；在键合箱内，利用平整晶圆(5)在第一晶圆(1)的表面均匀向下施压，以调节第一晶圆(1)的表面平整度，调节完成后降低温度使得粘合剂(3)固化；(f)、提供所需的第二晶圆(6)，并将所述第二晶圆(6)与第一晶圆(1)进行所需的键合，形成第二键合体；(g)、将上述第二键合体上进行解键合，以去除与第一晶圆(1)相连的承载晶圆(2)，形成第一晶圆(1)与第二晶圆(6)的永久键合；所述步骤(f)中，第一晶圆(1)与第二晶圆(6)进行键合的方法包括真空键合、共晶键合、阳极键合或钎料键合；所述第一晶圆(1)、第二晶圆(6)的材料包括硅、锗或SOI；所述步骤(c)中，对第一键合体的操作工艺还包括TSV通孔制作、电镀。 【当前权利人】江苏物联网研究发展中心 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座 【统一社会信用代码】1232020046637256X7 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】11

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