【摘要】 本发明涉及一种含有金属微凸点的图像传感器封装方法，属于芯片封装技术领域。它包括以下工艺过程：键合带有隔离层(6)的玻璃盖板(5)与芯片本体(1)，通过光刻结合硅刻蚀的方法形成硅通孔(1-1)，在硅通孔(1-1)内形成金属微凸点(7)结构，再次通过光刻结合硅刻蚀的方法使金属微凸点(7)形成金属孤岛，喷胶或旋涂实现圆片表面及硅通孔(1-1)内硅表面的绝缘，在金属微凸点(7)表面形成绝缘层开口盲孔(8-1)，之后填充绝缘层开口盲孔(8-1)和设置再布线金属层(9)与线路保护层(10)，在再布线金属层(9)的终端设置焊球凸点(11)阵列。本发明提供了一种结构简单、工艺难度小、互联可靠性好的封装方法。 【专利类型】发明授权 【申请人】江阴长电先进封装有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214429 江苏省无锡市江阴市高新技术产业开发园区(澄江东路99号) 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201210095390.6 【申请日】2012-03-31 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102637713B 【公开公告日】2014-07-30 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102637713B 【授权公告日】2014-07-30 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L27/146 【发明人】张黎; 胡正勋; 赖志明; 陈锦辉 【主权项内容】一种含有金属微凸点的图像传感器封装方法，其特征在于：所述方法包括以下工艺过程：步骤一、通过涂覆、曝光、显影、固化或者单纯印刷工艺在透光盖板(5)表面形成隔离层(6)；步骤二、将上述带有隔离层(6)的透光盖板(5)与芯片本体(1)键合起来；步骤三、将上述芯片本体(1)进行圆片减薄和应力层去除处理；步骤四、通过光刻结合硅刻蚀的方法形成硅通孔(1-1)，通过定向选择性刻蚀在芯片内部钝化层(2)处形成芯片内部钝化层开口(2-1)而不损伤芯片内部金属层(3)；步骤五、通过电镀或化学镀的方式在硅通孔(1-1)内形成金属微凸点(7)结构，并通过金属腐蚀去除硅通孔(1-1)底部以外的金属；步骤六、再次通过光刻结合硅刻蚀的方法，斜向选择性刻蚀，使硅通孔(1-1)的底部打开至芯片内部钝化层(2)的下表面；步骤七、利用整面喷胶或旋涂的方式，实现圆片表面及硅通孔(1-1)内硅表面的绝缘层(8)；步骤八、利用光刻或激光打孔方式在金属微凸点(7)上方的绝缘层(8)处形成绝缘层开口盲孔(8-1)；步骤九、通过电镀或化学镀的方法填充绝缘层开口盲孔(8-1)和设置再布线金属层(9)；步骤十、通过喷胶或旋涂的方法形成再布线金属层(9)的线路保护层(10)；步骤十一、通过植球或印刷焊膏、回流的方法在再布线金属层(9)上形成BGA焊球凸点(11)的阵列。 【当前权利人】江阴长电先进封装有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市江阴市高新技术产业开发园区(澄江东路99号) 【专利权人类型】有限责任公司(港澳台投资、非独资) 【统一社会信用代码】91320281753943521E 【引证次数】3.0 【自引次数】2.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】14

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