【摘要】本发明涉及一种车位锁，尤其涉及一种车位锁防撞机构，包括主轴、蜗轮与蜗杆组成的传动副、从左至右依次套装在主轴上的传动机构和轴向复位装置；所述蜗杆垂直布置于主轴上方，所述蜗轮配合于蜗杆下方并套装在主轴上；所述传动机构包括与蜗轮的右端面咬
【摘要】 本发明提供了一种GaN基半导体发光二极管的制造方法，包括形成GaN衬底，以及在GaN衬底上沉积p型接触层、有源层、n型电子阻挡层、n型过渡层和n型接触层；其中形成GaN衬底的方法包括如下步骤：在常温常压下，将GaN晶片放入高温高压装置中；对GaN晶片加热的同时加压，加热温度为820～880℃，加压压力为4.1~4.6GPa，保持10～15分钟；停止加热，使GaN晶片冷却至常温；同时缓慢卸压，使GaN晶片恢复至常压；在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaN晶片。该方法可以明显的减小发光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高发光二极管的性能和寿命。 【专利类型】发明授权 【申请人】江苏威纳德照明科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213342 江苏省常州市溧阳市社渚镇创新路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】溧阳市 【申请号】CN201210351827.8 【申请日】2012-09-20 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102856449B 【公开公告日】2014-12-10 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102856449B 【授权公告日】2014-12-10 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L33/00; H01L21/322 【发明人】虞浩辉; 周宇杭 【主权项内容】1.一种GaN基半导体发光二极管的制造方法，包括形成GaN衬底，以及在GaN衬底上沉积p型接触层、有源层、n型电子阻挡层、n型过渡层和n型接触层；其特征在于，形成GaN衬底的方法包括如下步骤：(1)在常温常压下，将GaN晶片放入高温高压装置中，在高温高压装置中加入传压介质，该传压介质为NaCL和液氮；(2)对GaN晶片加热的同时加压，加热至温度为820～880℃，加压至压力为4.1~4.6GPa，保持10～15分钟；(3)停止加热，使GaN晶片冷却至常温；同时缓慢卸压，使GaN晶片恢复至常压；卸压速度为0.5～0.8GPa/分钟；(4)在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaN晶片。 【当前权利人】江苏威纳德照明科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市溧阳市社渚镇创新路8号 【专利权人类型】有限责任公司(中外合资) 【统一社会信用代码】913204815538061940 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】9
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