【摘要】 本发明涉及晶体硅，特指一种高效低价晶体硅太阳电池的制备方法，特指在电池前表面制备仿生光子晶体陷光结构并多层减反射膜，在电池背面生长掺杂氧化硅颗粒层，用于提高电池效率，减少电池片厚度，降低电池成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】常州大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】213164 江苏省常州市武进区滆湖路1号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】武进区 【申请号】CN201210030304.3 【申请日】2012-02-13 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102593245B 【公开公告日】2014-07-23 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102593245B 【授权公告日】2014-07-23 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/18; H01L31/0216 【发明人】丁建宁; 袁宁一; 陈双林 【主权项内容】1.一种晶体硅太阳电池的制备方法，包括扩散掺杂的步骤、仿生光子晶体与多层膜结合的减反结构的制备步骤、硅片背面颗粒的制备步骤、铝背场的制作步骤、背面电极的制作步骤、正面栅状电极的制作步骤和烧结步骤，其特征在于：所述的仿生光子晶体与多层膜结合的减反结构的制备步骤为：选取绿带翠凤蝶翅膀上墨绿色区域的鳞片，先置于浓度3-10wt%的稀盐酸中30-90 min用于去除无机盐，后置于5-10wt%的NaOH溶液中，浸渍60-200min用于去除有机蛋白及脱乙醚；然后将处理过的鳞片模版平铺在硅片前表面上，放入30-60 ℃的烘箱中，40-80 min后，将铺有鳞片模版的硅片放入原子层沉积(ALD)反应室中，在100-300 ℃下沉积10-30 nm厚的氧化铝薄膜，之后将沉积过氧化铝的硅片放入退火炉中，在空气中，300-600 ℃下煅烧2-5小时，去除鳞片模版；在100-300 ℃下用ALD方法在硅片前表面的光子晶体表面上继续沉积氧化铝和氮化铝相间的多层膜，单层氧化铝和氮化硅的厚度在2-4 nm，多层膜总厚度在30-80 nm；所述的硅片背面颗粒的制备步骤为：先将硅片用浓度为5-15wt％的赖氨酸水溶液浸泡1-10 min，增加颗粒的粘附性，之后用去离子水冲洗干净并烘干；在湿度为75－85%的环境下，将硅片正面朝上，利用夹具使硅片背面与掺杂氧化硅颗粒的胶体溶液接触，正面不与溶液接触，浸泡时间为15-120 min，使得硅片后表面颗粒浓度为4x108-2x109cm-2。 【当前权利人】常州大学 【当前专利权人地址】江苏省常州市武进区滆湖路1号 【统一社会信用代码】12320000466007300P 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】3

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