【摘要】 本发明涉及一种利用SiN薄膜针孔形成局部掺杂或金属化的方法，所述的方法包括以下工艺步骤：采用PECVD方法制得AlOx/SiN或SiO2/SiN叠层薄膜、碱性溶液浸泡、局部掺杂或金属化。本发明简化了工艺流程，降低了电池制备成本，达到良好的钝化效果，同时保持较好的接触性能。 【专利类型】发明授权 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201210141797.8 【申请日】2012-05-08 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102709335B 【公开公告日】2014-12-10 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102709335B 【授权公告日】2014-12-10 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/0216; H01L31/18 【发明人】蔡文浩 【主权项内容】微信 。一种利用SiN薄膜针孔形成局部掺杂或金属化的方法，其特征在于：包括以下工艺步骤：第一步、背面制膜采用PECVD方法在P型硅背面沉积AlOx或SiO2薄膜，AlOx或SiO2薄膜表面沉积多孔的SiN薄膜，制得多孔、低密度或低质量的AlOx/SiN或SiO2/SiN叠层薄膜，得到的SiN薄膜的针孔密度为1～9×106/cm2；第二步、碱性溶液浸泡将硅片浸泡于碱性溶液中，形成SiN薄膜针孔，得到的SiN薄膜的针孔密度为1～9×108/cm2，针孔孔径为1～2μm；第三步、局部掺杂或金属化利用针孔实现局部硼掺杂形成n+层，或直接结合丝网印刷铝浆的方法形成背面金属接触。 【当前权利人】天合光能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】2

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