【摘要】 本发明涉及一种用于高效晶硅太阳电池制作的表面湿法处理工艺，具有以下步骤：(1)预清洗；(2)硅片去损伤减薄：硅片上、下表面呈现抛光状；(3)镀膜保护：在硅片的单一表面沉积保护膜；(4)表面织构化：硅片未有保护膜的表面获得深度为4～10μm金字塔绒面构造，同时硅片另一面具有保护膜的表面保持平面状；(5)去除保护膜(6)RCA清洗(7)表面形貌增强优化及形成湿法钝化表面。本发明不仅能简便地满足高效电池制作过程中对薄硅片衬底的单面清洗制绒的要求，有效提高清洗工艺质量及电池效率和良率，而且无需额外增加相关清洗设备，从而节省工艺成本。。 【专利类型】发明授权 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201210205235.5 【申请日】2012-06-20 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102751377B 【公开公告日】2014-11-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102751377B 【授权公告日】2014-11-12 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/18; C30B33/10 【发明人】王栋良 【主权项内容】一种用于晶硅太阳电池制作的表面湿法处理工艺，其特征在于：具有以下步骤：(1)预清洗：将硅片置于无水乙醇中进行超声洗涤，然后经RCA溶液及氢氟酸处理脱去无机金属离子及有机颗粒污染物；(2)硅片去损伤减薄：将硅片表面的机械损伤层及表层残留金属污染部分腐蚀去除，腐蚀深度为5～45μm，此时硅片上、下表面呈现抛光状；(3)镀膜保护：在硅片的单一表面沉积厚度为30～100nm的氮化硅类或氧化硅类薄膜作为下一步制绒时的保护膜；(4)表面织构化：把单一表面带有保护膜的硅片进行制绒处理，使得硅片未有保护膜的表面获得深度为4～10μm金字塔绒面构造，同时硅片另一具有保护膜的表面保持平面状；(5)去除保护膜：把单一表面带有保护膜的硅片浸入2.0wt％～10.0wt％氢氟酸溶液中刻蚀去除保护膜，刻蚀时间5～15min。 【当前权利人】天合光能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【引证次数】7.0 【他引次数】7.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】30

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