【摘要】 本发明涉及一种非对称取样光栅半导体激光器，在激光器有源层顶部上限制层上方的取样光栅分成取样周期相同的等长的两部分；第一部分中的取样光栅占空比为0.5，第二部分中的取样光栅占空比不等于0.5；则在所述第一、第二部分取样光栅中间的相邻光栅区域的间距为D，且所述该间距为D与能改变取样光栅的等效相移值相对应；本发明在激光器端面无法镀膜的情况下，可通过调节所选择等效相移取样光栅激光器两侧取样光栅的取样占空比，来使得激光器从两个端面输出不同功率大小的激光。 【专利类型】发明授权 【申请人】常州工学院 【申请人类型】学校 【申请人地址】213011 江苏省常州市天宁区通江南路299号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】天宁区 【申请号】CN201210047346.8 【申请日】2012-02-28 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102570300B 【公开公告日】2014-02-26 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102570300B 【授权公告日】2014-02-26 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01S5/12 【发明人】周亚亭; 陈向飞 【主权项内容】一种非对称取样光栅半导体激光器的制作方法，其特征在于包括位于激光器有源层顶部上限制层上方的非对称取样光栅的制作的步骤，其包括：把激光器有源层顶部上限制层上方生成的取样周期相同的取样光栅分成等长的两部分；第一部分的取样光栅的占空比为0.5，第二部分的取样光栅的占空比不等于0.5；取样光栅中的种子光栅是用普通曝光结合双光束全息干涉曝光的方法形成的均匀光栅。 【当前权利人】常州工学院 【当前专利权人地址】江苏省常州市天宁区通江南路299号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12320400467283964D 【引证次数】10.0 【被引证次数】1 【他引次数】10.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】13.0 【家族被引证次数】9

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