【摘要】1.本外观设计产品的名称：领带(21)。2.本外观设计产品的用途：用于系在衬衫领子上的带子。3.本外观设计的设计要点：主视图中所示的图案，其他视图无设计要点，故省略。4.最能表明设计要点的图片或者照片：主视图。【专利类型】外观设计【
【摘要】 本发明公开了一种点接触LDMOS结构晶体管单元。其结构是漏接触区为圆形或正多边形，位于晶体管单元中心，外围依次环绕着漂移区、栅沟道区和源区。晶体管单元中栅宽与漏源PN结面积比比常规LDMOS结构提高一倍；晶体管单元分别按照一定周期沿X方向和Y方向分布构成器件芯片。本发明的优点：能够有效分散热源，减小热阻，提高器件工作带宽、增益和功率等性能指标。。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国电子科技集团公司第五十五研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】210016 江苏省南京市中山东路524号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201010138231.0 【申请日】2010-04-02 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101807604B 【公开公告日】2011-07-27 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101807604B 【授权公告日】2011-07-27 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/417; H01L29/06; H01L29/10; H01L27/088 【发明人】傅义珠 【主权项内容】1.一种点接触LDMOS结构晶体管单元，其特征是晶体管单元漏电极接触区是圆形或正多边形N+掺杂漏区(5)，N+掺杂漏区(5)外围是环绕N-掺杂漂移区(4)；环绕N-掺杂漂移区(4)外围是P型掺杂沟道区(3)，P型掺杂沟道区(3)上方是N+掺杂多晶硅栅区(6)；在P型掺杂沟道区(3)与N+掺杂多晶硅栅区(6)之间隔着二氧化硅绝缘层；在P型掺杂沟道区(3)区外围环绕着N+掺杂源区(2)；在N+掺杂源区(2)外围是P+掺杂源区(1)，P+掺杂源区(1)掺杂深度超过外延层厚度，P+掺杂源区(1)与P+衬底相连；P+掺杂源区(1)与N+掺杂源区(2)表面通过金属硅化物相连。。微信 【当前权利人】中国电子科技集团公司第五十五研究所 【当前专利权人地址】江苏省南京市中山东路524号 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】2
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