【摘要】 一种轻质电子封装材料的制备工艺，由铝和硅构成，其中硅的质量百分比含量为30％-80％，其余为铝，将铝和硅混合后置于800℃～1300℃下经真空感应炉熔炼制成自耗电极棒，再装入电渣炉进行电渣熔炼，电渣炉工作电压为20-40V，工作电流为1～10kA，引弧块为纯铝块，引弧渣料为CaF2，熔炼过程中加入经500℃～800℃下保温4～8小时的电渣渣料，电渣渣料的加入量为自耗电极棒质量的3％～4％，所述的电渣渣料由Na3AlF6、NaCl及KCl组成，电渣渣料组份的质量百分数为：20％～30％Na3AlF6、25％～35％NaCl、45％～55％KCl；电渣熔炼后经水冷结晶器快速凝固的铝硅铸锭再在325℃～375℃退火处理3～5小时。 【专利类型】发明申请 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210096 江苏省南京市四牌楼2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201010600470.3 【申请日】2010-12-22 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102134650A 【公开公告日】2011-07-27 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102134650B 【授权公告日】2012-04-11 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C22B9/18; C22C21/02; C22C28/00; C22F1/043; C22F1/16; H01L23/28 【发明人】薛烽; 刘欢; 周健; 白晶; 孙扬善 【主权项内容】1.一种轻质电子封装材料的制备工艺，其工艺步骤如下： (a)该电子封装材料的成分由铝和硅构成，其中硅的质量百分比含量为30％-80％，其余为铝，首先将铝和硅混合后置于800℃～1300℃下经真空感应炉熔炼制成自耗电极棒； (b)将自耗电极棒装入电渣炉进行电渣熔炼，电渣炉工作电压为20-40V，工作电流为1～10kA，引弧块为纯铝块，引弧渣料为CaF2，熔炼过程中加入经500℃～800℃下保温4～8小时的电渣渣料，电渣渣料的加入量为自耗电极棒质量的3％～4％，所述的电渣渣料由Na3AlF6、NaCl及KCl组成，电渣渣料组份的质量百分数为：20％～30％Na3AlF6、25％～35％NaCl、45％～55％KCl； (c)电渣熔炼后经水冷结晶器快速凝固的铝硅铸锭在325℃～375℃退火处理3～5小时后通过机加工即得到成品。。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市四牌楼2号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】3.0 【被引证次数】4 【他引次数】3.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】4

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