【摘要】 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，其中制造方法包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括位于半导体衬底表面的硬掩膜层，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；去除第一区域半导体衬底表面的硬掩膜层；向第一区域注入杂质离子；在第一区域的半导体衬底上生长第一氧化硅层；去除第二区域半导体衬底表面的硬掩膜层；在具有第一氧化硅层的第一区域上及第二区域的半导体衬底上生长第二氧化硅层，从而提高高压器件的耐压效果。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010155681.0 【申请日】2010-04-23 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102237293A 【公开公告日】2011-11-09 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01L21/762; H01L29/78 【发明人】郭立; 罗泽煌; 吴孝嘉 【主权项内容】一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括位于半导体衬底表面的硬掩膜层，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；去除第一区域半导体衬底表面的硬掩膜层；向第一区域注入杂质离子；在第一区域的半导体衬底上生长第一氧化硅层；去除第二区域半导体衬底表面的硬掩膜层；在具有第一氧化硅层的第一区域上及第二区域的半导体衬底上生长第二氧化硅层。 【当前权利人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号; 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资); 有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J; 91320214739444443B 【引证次数】2.0 【被引证次数】11 【他引次数】2.0 【被自引次数】7.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】11

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