【摘要】 本发明涉及一种CMOS有源区隔离工艺，其包括如下步骤：a、提供第一导电类型衬底，并形成第二导电类型阱区；b、第一导电类型衬底上依次设置第一阻挡层及第二阻挡层；c、涂布光刻胶，并去除场区上的光刻胶；d、去除场区上的第二阻挡层及第一阻挡层；e、在场区上刻蚀形成隔离沟槽；f、设置第一侧墙层及第二侧墙层；g、去除有源区及隔离沟槽槽底上相应的第二侧墙层，在隔离沟槽内形成对应分布的侧墙；h、在场区上氧化得到隔离层；i、去除有源区上相应的第一侧墙层及第二阻挡层，并除去第一导电类型衬底上场区相对应的侧墙；j、去除第一导电类型衬底上的第一阻挡层。本发明工艺操作简单，鸟嘴减小，满足深亚微米COMS工艺的隔离要求。 微信 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡中微晶园电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010547502.8 【申请日】2010-11-16 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102104017A 【公开公告日】2011-06-22 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01L21/762; H01L21/311 【发明人】洪根深; 顾爱军; 陈正才; 李俊 【主权项内容】一种CMOS有源区隔离工艺，其特征是，所述有源区隔离工艺包括如下步骤：(a)、提供第一导电类型衬底(100)，并在所述第一导电类型衬底(100)上形成第二导电类型阱区(101)；(b)、在第一导电类型衬底(100)对应于形成第二导电类型阱区(101)的表面上依次设置第一阻挡层(102)及第二阻挡层(103)；(c)、在上述第二阻挡层(103)上涂布光刻胶(104)，并通过曝光和显影，去除场区上的光刻胶(104)，保留有源区上的光刻胶(104)；(d)、去除场区上相对应的第二阻挡层(103)及第一阻挡层(102)，使第一导电类型衬底(100)上场区相对应的表面暴露；(e)、在上述第一导电类型衬底(100)的场区上刻蚀形成隔离沟槽，并去除有源区上的光刻胶(104)；(f)、在上述第一导电类型衬底(100)上依次设置第一侧墙层(105)及第二侧墙层(106)，所述第一侧墙侧(105)及第二侧墙层(106)覆盖于有源区相对应的第二阻挡层(103)及隔离沟槽德侧壁与槽底上；(g)、去除有源区及隔离沟槽槽底上相应的第二侧墙层(106)，保留隔离沟槽侧壁上相应的第二侧墙层(106)，在隔离沟槽内形成对应分布的侧墙(107)；(h)、利用热氧化工艺，在第一导电类型衬底(100)的场区上氧化得到隔离层(108)；(i)、去除有源区上相应的第一侧墙层(105)及第二阻挡层(103)，并除去第一导电类型衬底(100)上场区相对应的侧墙(107)；(j)、去除第一导电类型衬底(100)上的第一阻挡层(102)，在第一导电类型衬底(100)上得到通过隔离层(108)相隔离的有源区。 【当前权利人】无锡中微晶园电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320214759698168Q 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0

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