【摘要】一种提高电流密度的绝缘体上硅可集成大电流N型半导体组合器件,包括:P型衬底及其上设埋氧层,在埋氧层上设被分隔成区域I和II的P型外延层,I区包括:N型漂移区、P型深阱、N型缓冲阱、P型漏区、N型源区和P型体接触区,在硅表面设有场氧化
【摘要】 1.产品名称:T恤(19)。2.产品用途:用于春夏季穿着的服装。3.设计要点在于T恤上面的图案。4.产品的主视图最能代表设计要点。5.本外观设计产品为扁平形状,省略其他视图。 【专利类型】外观设计 【申请人】江南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214122 江苏省无锡市蠡湖大道1800号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201030281323.5 【申请日】2010-08-20 【申请年份】2010 【公开公告号】CN301486232S 【公开公告日】2011-03-23 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN301486232S 【授权公告日】2011-03-23 【授权公告年份】2011.0 【发明人】朱琪颖; 张超 【主权项内容】无 【当前权利人】江南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市蠡湖大道1800号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】1210000071780177X1
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