【摘要】一种提高电流密度的绝缘体上硅N型半导体组合器件,包括:P型衬底,在P型衬底上设埋氧层,在埋氧层上设P型外延层且P型外延层被分割成区域I和II,其中I区为绝缘栅双极型器件区,包括:N型漂移区、P型深阱、N型缓冲阱、P型漏区、N型源区和
【摘要】 本发明提供了一种更换镶件装置,可以方便地在不拆下模在成型机台上就可以更换,省时又省力,其包括上模、下模型芯,其特征在于:所述下模型芯对应位置设置有镶件放入口,所述下模型芯与镶件的对应位置通设置有定位销,所述定位销通过定位销安装孔和调节螺栓卡住镶件。 【专利类型】发明申请 【申请人】凡嘉科技(无锡)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214112 江苏省无锡市新区梅村工业园锡达路230号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010298048.7 【申请日】2010-09-30 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101961888A 【公开公告日】2011-02-02 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】B29C33/12 【发明人】张卫 【主权项内容】一种更换镶件装置,其包括上模、下模型芯,其特征在于:所述下模型芯对应位置设置有镶件放入口,所述下模型芯与镶件的对应位置通设置有定位销,所述定位销通过定位销安装孔和调节螺栓卡住镶件。 【当前权利人】凡嘉科技(无锡)有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区梅村工业园锡达路230号 【专利权人类型】港、澳、台 【统一社会信用代码】91320214762421151T 【引证次数】5.0 【被引证次数】2 【他引次数】5.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】2
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