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回音集成电路的新结构专利

时间:2026-05-31    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 本发明涉及一种回音集成电路的新结构, 使用动 态随机存取存储器(DRAM)设计, 以产生移位寄存器的作用; 减 少每一存储单元中晶体管的数目, 并且只有单种晶体管(如 NMOS或PMOS), 可使制程简化, 于是使回音集成电路的体积大 量缩小, 成本巨幅降低。而且重新安排所使用的时脉信号, 重新 安排存储单元矩阵, 使系统因时脉结构所造成的电源突冲 (SPIKE)为之降低, 于是噪声减少, 音质提高, 同时噪声频率提高, 可以使用成本较低的滤波器。 【专利类型】发明申请 【申请人】普诚科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98107908.3 【申请日】1998-04-25 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1236954A 【公开公告日】1999-12-01 【公开公告年份】1999 【IPC分类号】G11C11/401 【发明人】黄金炎 【主权项内容】1.一种回音集成电路的新结构,其中使用动态随机存取存储器作 为存储单元,而非使用静态随机存取存储器作为储存单元。 【当前权利人】普诚科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾 【被引证次数】3.0 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】3.0

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    【专利类型】外观设计【申请人】蔡文和【申请人类型】个人【申请人地址】台湾省台北市北投区育仁路113号8F【申请人地区】中国【申请人城市】台湾省【申请号】CN98332374.7【申请日】1998-09-24【申请年份】1998【公开公告号】

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