【摘要】 本发明属于晶体制备装置技术领域，涉及到一种制备氧化镁晶体的电熔装置，特别涉及到一种制备氧化镁晶体的控温电弧炉。本发明通过对保温材料，水冷设备，感温探头和计算机控制技术的综合运用来产生适宜晶体生长的温度场。依靠探头采集的数据和预先设定的温度场方程，计算机发出冷却机构和电弧功率和位置的控制信号并送到相应的执行机构，完成对炉内温度场的调节。本发明的效果和益处是依据本发明设计的电弧炉能够大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量，同时提高了电能的利用率有效地降低了成本。另外，该技术也可用于生产其他高温晶体。 【专利类型】发明申请 【申请人】大连理工大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】116024辽宁省大连市甘井子区凌工路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】大连市 【申请人区县】甘井子区 【申请号】CN200410100460.8 【申请日】2004-12-21 【申请年份】2004 【公开公告号】CN100385191C 【公开公告日】2008-04-30 【公开公告年份】2008 【授权公告号】CN100385191C 【授权公告日】2008-04-30 【授权公告年份】2008.0 【IPC分类号】F27B3/08; F27B3/12; C04B2/00 【发明人】王宁会; 王晓臣; 黄耀; 戚栋; 吴彦; 李国锋 【主权项内容】1.一种制备氧化镁晶体的控温电弧炉，由炉壳，电极(1)，电极控制机构(15)， 水冷装置(10)，水冷装置升降机构(14)，感温探头(17)和控制计算机(16) 组成，其特征是： (a).炉壳侧壁由内保温层(6)，外保温层(8)和它们之间的气隙(7)构 成，炉壳下壁是由金属底板(9)构成； (b).内保温层的外表面，金属底板的下表面以及水冷装置的上表面均匀分 布有感温探头(17)； (c).根据控制计算机预先设定的炉温数学模型和从感温探头中采集到的数 据计算得到控制参量，并将其转化为控制信号； (d).根据控制计算机发出的控制信号，布置在炉底的水冷装置在水冷装置 升降机构(14)的驱动下实现与金属底板的接触与分离，电极由电极控制机构 (15)控制电弧功率和位置。 【当前权利人】辽宁中大超导材料有限公司 【当前专利权人地址】辽宁省营口市沿海产业基地新联大街东一号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000422436090K 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】2.0

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