【摘要】氧化硅膜(31)上的各源电极和漏电极均具有ITO膜(32)、透明电极以及形成在ITO膜(32)上的金属膜(33)的双层结构。没有源极和漏极区域的间隙(35)形成在源电极和漏电极之间。氮化硅膜(34)(栅极绝缘膜)形成在源电极和漏电极
【专利类型】外观设计 【申请人】钟李杏枝 【申请人类型】个人 【申请人地址】台湾省中坜市五权里上三座屋21-8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98302082.5 【申请日】1998-05-08 【申请年份】1998 【公开公告号】CN3099201D 【公开公告日】1999-01-20 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN3099201D 【授权公告日】1999-01-20 【授权公告年份】1999.0 【发明人】钟李杏枝 【主权项内容】无 【当前权利人】钟李杏枝 【当前专利权人地址】台湾省中坜市五权里上三座屋21-8号
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