【摘要】本发明涉及一种硅键合片界面缺陷的检测方法,它包括(1)以振荡频率在1MHz以上的兆声波激活电阻值14MΩ·cm以上的去离子水,形成兆声去离子水波;(2)以所述的兆声去离子水波扫射硅键合片表面;(3)在聚光灯和显微镜下检查经兆声去离子
【专利类型】外观设计 【申请人】晔豪企业有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省台北县新庄市中正路742巷3弄16号5楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98301341.1 【申请日】1998-03-27 【申请年份】1998 【公开公告号】CN3098196D 【公开公告日】1999-01-06 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN3098196D 【授权公告日】1999-01-06 【授权公告年份】1999.0 【发明人】朱金惠 【主权项内容】无 【当前权利人】晔豪企业有限公司 【当前专利权人地址】台湾省台北县新庄市中正路742巷3弄16号5楼
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