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一种二维硅烯薄膜及其制备方法专利

时间:2026-10-10    作者:admin 点击: ( 1 ) 次

【摘要】 本发明公开一种气态硅源生长二维硅烯薄膜的方法,采用化学气相沉积或物理气相沉积技术将硅原子基团从气态硅源中释放在催化层上而形成硅烯薄膜;所述催化层的厚度为25nm~25mm,催化层温度控制在20℃~1600℃之间。本发明方法简单、易于实现。制备得到的硅烯薄膜是由三个、四个、五个或七个硅原子为其重复单元并由共价键相连而成的二维层状薄膜,所包含的硅烯的层数为1~200层。 【专利类型】发明申请 【申请人】浙江大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210353611.5 【申请日】2012-09-21 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103668453A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103668453B 【授权公告日】2016-12-21 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】C30B29/06; C30B29/64; C30B23/00; C30B25/00; C23C14/14; C23C16/24 【发明人】徐明生; 陈红征 【主权项内容】一种气态硅源生长二维硅烯薄膜的方法,其特征在于,采用化学气相沉积或物理气相沉积技术将硅原子基团从气态硅源中释放在催化层上形成硅烯薄膜;所述催化层厚度为25nm至25mm之间,催化层温度控制在20℃~1600℃之间。 【当前权利人】浙江大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000470095016Q 【引证次数】7.0 【被引证次数】14 【自引次数】2.0 【他引次数】5.0 【被他引次数】14.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】14

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