【摘要】 本发明涉及一种二氧化锡-二氧化钛核壳结构纳米复合材料的制备方法，包括利用化学气相沉积法制备二氧化锡纳米线和利用原子气相沉积法在二氧化锡纳米线表面逐层包覆上金红石相的二氧化钛纳米结构。本发明首先利用化学气相沉积装置在已经喷涂上纳米金颗粒的硅片表面生长出二氧化锡纳米线；然后利用紫外处理装置在二氧化锡纳米线表面附着上羟基基团；最后将生长上二氧化锡纳米线的硅片放置在原子层沉积装置中，利用原子气相沉积法交替循环沉积上二氧化钛纳米结构和羟基基团形成二氧化锡-二氧化钛核壳纳米线结构。本发明具有操作流程简单，核壳结构厚度精确可控，尺寸分布均匀等优点。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210240596.3 【申请日】2012-07-12 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102728289B 【公开公告日】2014-06-11 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102728289B 【授权公告日】2014-06-11 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】B01J13/02 【发明人】董策舟; 聂安民; 王宏涛; 李倩倩; 冯琼; 周武 【主权项内容】1.一种二氧化锡-二氧化钛核壳纳米结构的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：步骤1：将反应基底依次在去离子水、丙酮和乙醇中分别超声清洗30分钟，并用高纯气体吹干处理反应基底表面；步骤2：将反应基底放置在真空溅射仪中，在反应基底表面溅涂上30～100纳米厚度的纳米颗粒态的催化剂层；步骤3：将装有锡粉的瓷舟放置在化学气相沉积装置的中心高温加热区，反应基底放置在瓷舟下风口5～15厘米处，利用真空泵将化学气相沉积装置的真空度调节在5mTorr以下；步骤4：将化学气相沉积装置中心高温加热区温度在40分钟内升温至600～1000℃，保持在上述温度30分钟并且通入15sccm流量的氧化性气体，反应完全后将温度在10分钟内降至常温；步骤5：将反应基底从化学气相沉积装置中取出，二氧化锡纳米线制备完成，将反应基底放置在UV紫外处理装置中处理5～15分钟；步骤6：将反应基底放置在原子层沉积装置中，先通入0.010～0.100sccm流量的二氧化钛前驱物，再通入0.005～0.050sccm流量的羟基基团前驱物，通入气体时间均为1秒钟；步骤7：重复步骤6的操作100～1000个循环，从原子层沉积装置中取出反应基底，制备过程完成。 【当前权利人】浙江大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000470095016Q 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】12

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