【摘要】 本发明公开了一种3.65微米至5微米宽带红外滤光片及其制作方法，其特征是：采用尺寸为Φ18×1.0mm的单晶锗Ge作基板1，其表面光圈N≤5，局部光圈ΔN≤0.5，平行度θ≤1’，表面光洁度优于60/40；镀膜材料选择一氧化硅SiO和单晶锗Ge，在基板两个表面上分别沉积多层干涉薄膜；第一面膜系干涉薄膜2设计采用：Sub|1.33(.5HL.5H)53.39(.5LH.5L)5|Air；第二面膜系干涉薄膜3设计采用：Sub|0.92(.5HL.5H)3 1.1(.5HL.5H)4|Air；本发明提供的一种3.65微米至5微米宽带红外滤光片，双侧陡度＜3％即从透过率的5％到80％的过渡区域小于200nm，高透区域透过率≥90％、截止区域内截止深度≤0.1％，在热像仪波段3.7～4.9μm范围内透过率高达92％以上，获得优异的信噪比，满足高性能热像仪的灵敏度和精度要求。 【专利类型】发明授权 【申请人】杭州麦乐克电子科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】310000 浙江省杭州市西湖高新园区(杭州麦乐克电子科技有限公司) 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210063890.1 【申请日】2012-03-12 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102590917B 【公开公告日】2014-05-14 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102590917B 【授权公告日】2014-05-14 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G02B5/20; G02B1/10; B32B9/04 【发明人】吕晶 【主权项内容】1.一种3.65微米至5微米宽带红外滤光片，其特征是： (1)采用尺寸为Φ18×1.0mm的单晶锗Ge作基板，其表面光圈N≤5，局部光圈ΔN≤0.5，平行度θ≤1’，表面光洁度优于60/40； (2)镀膜材料选择一氧化硅SiO和单晶锗Ge，在基板两个表面上分别沉积多层干涉薄膜； (3)第一面膜系干涉薄膜设计采用：Sub|1.33(.5HL.5H)53.39(.5LH.5L)5|Air第二面膜系干涉薄膜设计采用：Sub|0.92(.5HL.5H)31.1(.5HL.5H)4|Air膜系中符号含义分别为：Sub为基板、Air为空气、H为λc/4单晶锗膜层、L为λc/4一氧化硅膜层、λc＝2μm、结构中数字为膜层的厚度系数、结构中的指数是膜堆镀膜的周期数。 ： 【当前权利人】杭州麦乐克科技股份有限公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市余杭区兴国路503号6幢二层 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】91330100796681154C 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】9

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