【摘要】一种专用于植物组织培养的培养基及其制备方法，属于生物技术领域。其特征在于含有重量百分含量的以下物质：大量元素10-27%，微量元素1-6%，生长激素1-7%，增效营养物6-19%，无菌水55-79%。上述一种专用于植物组织培养的培养
【摘要】 本发明公开了一种背部沟槽绝缘栅双极晶体管，传统绝缘栅双极晶体管的背P+发射区完全覆盖器件背面，本发明的绝缘栅双极晶体管通过沟槽将器件背面部分或全部区域设置为P+发射区，以此调节背P+发射区向N型基区注入空穴的效率，提高器件高频特性的应用范围。本发明还提供了一种背部沟槽绝缘栅双极晶体管的制备方法。 【专利类型】发明申请 【申请人】朱江 【申请人类型】个人 【申请人地址】310018 浙江省杭州市下沙三号大街裕园公寓1号603室 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】上城区 【申请号】CN201210327563.2 【申请日】2012-09-06 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103681790A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L29/08; H01L29/739; H01L21/331 【发明人】朱江 【主权项内容】一种背部沟槽绝缘栅双极晶体管，其特征在于：包括：N型基区，由N-基区组成；P型基区、N+集电区、栅氧化层和栅极介质，位于N型基区上方；背沟槽P+发射区，为多个沟槽结构，位于N型基区下方，P型半导体材料临靠沟槽内壁，N+缓冲层临靠P型半导体材料，N+缓冲层位于P型半导体材料与N型基区之间，同时背沟槽内填充电极金属。 【当前权利人】朱江 【当前专利权人地址】浙江省杭州市下沙三号大街裕园公寓1号603室 【引证次数】8.0 【被引证次数】4 【自引次数】2.0 【他引次数】6.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】4
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