【摘要】 本发明公开了一种局部磁场可调式微驱动器。包括由二维永磁体阵列和背铁组成的定子以及在绝缘体上下表面铺设有沿X、Y轴方向交错排列的电枢的动子，定子和动子之间具有气隙；二维永磁体阵列为整体成矩形“十”字型N、S主磁极呈交错分布的永磁体阵列，相邻的N主磁极或相邻的S主磁极间用非导磁块相隔；沿X、Y轴方向交错排列的电枢是由平行排列的X轴方向导线组和Y轴方向导线组构成。本发明结构简单，制作方便，导线式电枢结构使得局部磁场和电磁力调节更为灵活，在实现对悬浮力和水平推力解耦控制的同时，具有响应迅速，驱动范围广等优点，本发明可利用于微型机器人，光刻机或微电子封装设备等需要精密驱动和操作的场合。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江理工大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310018 浙江省杭州市江干区经济开发区白杨街道2号大街5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】上城区 【申请号】CN201210112415.9 【申请日】2012-04-17 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102647126B 【公开公告日】2014-10-15 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102647126B 【授权公告日】2014-10-15 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H02N15/00 【发明人】郭亮; 陈本永; 丁浩; 王吟; 张钊 【主权项内容】一种局部磁场可调式微驱动器，包括由二维永磁体阵列和背铁组成的定子，由绝缘体、在绝缘体上表面铺设的沿Y轴方向导线组以及在绝缘体下表面铺设的沿X轴方向导线组组成的动子，定子和动子之间具有气隙；其特征在于：二维永磁体阵列俯视为“十”字型N、S主磁极呈交错分布的永磁体阵列，相邻的N主磁极或相邻的S主磁极间用非导磁块相隔；X轴方向导线组和Y轴方向导线组由漆包铜线组成，采用多层绕组式结构，铜线采用单匝式结构，彼此间相互独立，每根铜线两端分别接芯片管脚和驱动电路，每根铜线中的电流方向和电流值均能分别加以调节，提供局部磁场微调的，具有随动性的电枢磁场。 【当前权利人】浙江理工大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市江干区经济开发区白杨街道2号大街5号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12330000470009034M 【引证次数】5.0 【自引次数】1.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】4

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