【摘要】 本发明公开了一种阻变存储单元器件的制备方法，具体是指以金属Au和Ag分别做为上下电极、以0.5wt%掺Nb的单晶SrTiO3做为阻变层材料的一种基于界面氧空位实现多值存储的阻变存储器件方法。本发明通过以含Nb单晶SrTiO3为衬底，并超声清洗干净，自然晾干；然后用掩膜板遮挡，使用射频磁控溅射方法在衬底上溅射金属金薄膜做为一电极，金属银做为另一电极使用；再将两电极用铜线连接。本发明的优点是：所用器材为商业产品，无需繁琐制备；工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、结构连续。所制备的器件结构具有较大的存储窗口、良好的保持特性及多值存储的性能。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江理工大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310018 浙江省杭州市下沙高教园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】上城区 【申请号】CN201210199475.9 【申请日】2012-06-13 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102723435B 【公开公告日】2014-03-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102723435B 【授权公告日】2014-03-12 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L45/00 【发明人】李培刚; 申婧翔; 王国锋; 张岩; 王顺利; 陈本永; 唐为华 【主权项内容】一种基于界面氧空位实现多值存储的阻变存储器件方法，其特征包括如下步骤：(1)先取一片10mm×5mm×0.5mm大小的含Nb单晶SrTiO3为衬底，并超声清洗干净，自然晾干；其中的单晶SrTiO3衬底中含有质量含量为0.5%的Nb；(2)将上述清洗干净的含Nb单晶SrTiO3衬底用掩膜板遮挡，然后使用射频磁控溅射方法在含Nb单晶SrTiO3衬底上溅射一定厚度为150nm-200nm、面积为1mm2的金属金薄膜做为电极，制成样品；其中射频磁控溅射方法所得到的金属金薄膜的厚度为150nm，面积为1mm2；(3)将步骤(2)的样品剥离掩膜板，在含Nb单晶SrTiO3衬底上涂覆面积为1mm2的金属银做为另一电极使用；(4)将步骤(3)的样品用金属铜线将金属金电极与金属银电极连接起来。 【当前权利人】浙江理工大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市下沙高教园区 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12330000470009034M 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】5

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