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一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置及其制备方法专利

时间:2026-10-08    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 本发明公开了一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置,本发明的半导体装置接一定的反向偏压时,漂移层中第一导电类型的半导体材料与沟槽内多晶第二电类型的半导体材料形成电荷补偿结构,提高器件的反向击穿电压,降低器件的导通电阻。本发明还提供了一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置的制备方法。 【专利类型】发明申请 【申请人】朱江 【申请人类型】个人 【申请人地址】310018 浙江省杭州市下沙三号大街裕园公寓1号603室 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】上城区 【申请号】CN201210330367.0 【申请日】2012-09-09 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103681778A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103681778B 【授权公告日】2017-04-26 【授权公告年份】2017.0 【IPC分类号】H01L29/06; H01L29/872; H01L21/329 【发明人】朱江 【主权项内容】一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置,其特征在于:包括:衬底层,为半导体材料构成;漂移层,为第一导电类型半导体材料构成,位于衬底层之上;多个沟槽,位于漂移层中,沟槽内壁设置有绝缘材料层,沟槽内设置有多晶第二导电类型半导体材料和多晶第一导电类型半导体材料,多晶第一导电类型半导体材料位于多晶第二导电类型半导体材料表面;肖特基势垒结,位于沟槽之间漂移层表面。 【当前权利人】北海惠科半导体科技有限公司 【当前专利权人地址】广西壮族自治区北海市工业园区北海大道东延线336号广西惠科科技有限公司16幢三楼301室 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0

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