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一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法专利

时间:2026-10-08    作者:admin 点击: ( 1 ) 次

【摘要】 本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管,本发明的绝缘栅双极晶体管在N型基区表面设置有P型基区、N+集电区、栅氧化层和栅极介质,在N型基区下表面设置了多晶P型半导体材料作为器件的背P+发射区;本发明的绝缘栅双极晶体管降低了器件的导通电阻,提高了器件的高频应用能力。本发明还提供了一种绝缘栅双极晶体管的制备方法。 : 【专利类型】发明申请 【申请人】朱江 【申请人类型】个人 【申请人地址】310018 浙江省杭州市下沙三号大街裕园公寓1号603室 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】上城区 【申请号】CN201210320208.2 【申请日】2012-09-01 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103681810A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103681810B 【授权公告日】2019-11-22 【授权公告年份】2019.0 【IPC分类号】H01L29/739; H01L29/06; H01L21/331 【发明人】朱江 【主权项内容】一种绝缘栅双极晶体管,其特征在于:包括:N型基区,由N+缓冲层和N-基区叠加组成,为N型半导体材料;P型基区、N+集电区、栅氧化层和栅极介质,位于N型基区上方;背P+发射区,为多晶P型半导体材料,位于N型基区的下方。。-官网 【当前权利人】青岛惠科微电子有限公司 【当前专利权人地址】山东省青岛市即墨区北安街道办事处太吉路1号 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0

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