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一种底部隔离电荷补偿结构半导体晶片及其制备方法专利

时间:2026-10-08    作者:admin 点击: ( 2 ) 次

【摘要】 本发明公开了一种底部隔离电荷补偿结构半导体晶片,在半导体漂移层中条状电荷补偿半导体材料底部引入厚绝缘材料,提高半导体晶片反向偏压阻断能力;本发明还提供了一种电荷补偿结构半导体晶片的制备方法。 【专利类型】发明申请 【申请人】朱江 【申请人类型】个人 【申请人地址】310018 浙江省杭州市下沙三号大街裕园公寓1号603室 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】上城区 【申请号】CN201210298991.7 【申请日】2012-08-21 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103633138A 【公开公告日】2014-03-12 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/06; H01L21/336 【发明人】朱江 【主权项内容】一种底部隔离电荷补偿结构半导体晶片,其特征在于:包括:衬底层,为半导体材料;漂移层,为第一导电类型半导体材料,位于衬底层之上,漂移层中衬底层垂直方向上分布条状第二导电类型半导体材料,在条状第二导电类型半导体材料底部具有绝缘材料。 【当前权利人】朱江 【当前专利权人地址】浙江省杭州市下沙三号大街裕园公寓1号603室 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0

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