【摘要】 本发明提供了一种反铁电薄膜的制备方法。该方法采用由硅片层、中间层和铂薄膜组成的镀铂硅片；首先，将镀铂硅片放入腐蚀溶液中，使中间层与腐蚀溶液反应，铂薄膜从硅片上脱离；然后，将铂薄膜转移到去离子水中清洗；之后，将铂薄膜转移到与铂不反应的耐高温衬底上并干燥；最后，在铂薄膜上制备反铁电薄膜。与现有技术相比，本发明制得的反铁电薄膜脱离了衬底的束缚，实验证实有效提高了反铁电薄膜的能量存储密度，同时也提高了其能量转换效率，作为储能元件具有广泛的应用前景。 微信 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院宁波材料技术与工程研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号 【申请人地区】中国 【申请人城市】宁波市 【申请人区县】镇海区 【申请号】CN201210332301.5 【申请日】2012-09-10 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102891250B 【公开公告日】2014-12-31 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102891250B 【授权公告日】2014-12-31 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L41/314; H01L41/39 【发明人】李润伟; 左正笏; 詹清峰; 陈斌; 杨华礼; 刘宜伟 【主权项内容】一种反铁电薄膜的制备方法，其特征是：包括如下步骤：采用镀铂硅片，所述的镀铂硅片由硅片层、中间层和厚度为纳米级的铂薄膜层组成，所述的中间层是二氧化硅层，或是由二氧化硅层与钛层组成的复合层；首先，将镀铂硅片放入腐蚀溶液，使镀铂硅片的中间层与腐蚀溶液反应被刻蚀，铂薄膜从硅片上脱离而漂浮在溶液表面；然后，将铂薄膜转移到盛有去离子水的器皿中清洗；之后，将铂薄膜转移到与铂不反应的耐高温衬底上，干燥铂薄膜；最后，在铂薄膜上沉积反铁电薄膜；所述的腐蚀溶液为浓硫酸的双氧水溶液，浓硫酸和双氧水的体积比为19 : 1～1 : 2，浓硫酸的双氧水溶液的温度为40～90℃。 【当前权利人】中国科学院宁波材料技术与工程研究所 【当前专利权人地址】浙江省宁波市镇海区庄市大道519号 【统一社会信用代码】121000007178168758 【引证次数】2.0 【自引次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】2

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