【摘要】 本发明公开一种扩散后单晶硅片次品返工方法，包括以下步骤：将扩散后的次品放入氢氟酸溶液中浸泡4～10min，去除扩散过程中形成的磷硅玻璃层，其中氢氟酸溶液中氢氟酸与水的体积比为1 : 4～10；用去离子水清洗，去除硅片表面残留的氢氟酸；然后放入热的NaOH溶液中浸泡2min～5min，以去除硅的表面扩散层，其中NaOH溶液的质量浓度为2%～10%，NaOH溶液的温度为60℃～80℃；再用H2O2溶液将硅片清洗干净，H2O2溶液中H2O2与水的体积比为1：4～10。本发明具有能降低生产成本，提高电池合格率的优点。 微信 【专利类型】发明授权 【申请人】宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】315177 浙江省宁波市鄞州区望春工业园区杉杉路181号 【申请人地区】中国 【申请人城市】宁波市 【申请人区县】鄞州区 【申请号】CN201210271684.X 【申请日】2012-08-01 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102768952B 【公开公告日】2014-12-17 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102768952B 【授权公告日】2014-12-17 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/306 【发明人】吴艳芬; 詹国平; 陈筑; 刘晓巍; 刘伟; 徐晓群 【主权项内容】1.一种扩散后单晶硅片次品返工方法，其特征在于：包括以下步骤： (1)将扩散后的次品放入氢氟酸溶液中浸泡4～10min，去除扩散过程中形成的磷硅玻璃层，其中氢氟酸溶液中氢氟酸与水的体积比为1 : 4～10； (2)将步骤(1)浸泡后的硅片用去离子水清洗，去除硅片表面残留的氢氟酸； (3)将步骤(2)清洗后的硅片放入NaOH溶液中浸泡2min～5min，其中NaOH溶液的质量百分比浓度为2%～10%，NaOH溶液的温度为60℃～80℃，以去除硅的表面扩散层； (4)将步骤(3)浸泡后的硅片用H2O2溶液将硅片清洗干净，H2O2溶液中H2O2与水的体积比为1：4～10。。 【当前权利人】宁波尤利卡太阳能股份有限公司 【当前专利权人地址】浙江省宁波市海曙区望春工业园区杉杉路181-197号 【专利权人类型】其他有限责任公司 【统一社会信用代码】913302127782230458 【引证次数】4.0 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】3

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