【摘要】 本发明提供了一种类单晶晶体硅锭的制作方法，包括：对铺设在一容器底部的籽晶层和位于所述籽晶层上方的硅料进行加热，使所述硅料完全熔化，并使所述籽晶层部分熔化，形成液态硅层，且未熔化的部分籽晶层保持为固态，在类单晶生长时，控制所述容器内的热场，使所述籽晶层内的籽晶间拼缝处的温度高于籽晶区域的温度，籽晶区域的晶体优先向拼缝处生长，并且籽晶处的晶体生长速度大于拼缝处的晶体生长速度，则抑制了拼缝处多晶的生长，使得拼缝处的晶向可控，并且拼缝处的晶向与籽晶晶向保持一致，减少了位错的产生，进而提高了类单晶硅太阳能电池的转化效率。。 【专利类型】发明申请 【申请人】浙江昱辉阳光能源有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】314117 浙江省嘉兴市嘉善县姚庄镇工业园宝群路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】嘉兴市 【申请人区县】嘉善县 【申请号】CN201210298512.1 【申请日】2012-08-21 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103628126A 【公开公告日】2014-03-12 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】C30B11/00; C30B29/06; C30B28/06 【发明人】郑志东; 王朋; 翟蕊; 李娟 【主权项内容】一种类单晶晶体硅锭的制作方法，其特征在于，包括：对铺设在一容器底部的籽晶层和位于所述籽晶层上方的硅料进行加热，使所述硅料完全熔化，并使所述籽晶层部分熔化，形成液态硅层，且未熔化的部分籽晶层保持为固态；在类单晶生长时，控制所述容器内的热场，使所述籽晶层内的籽晶间拼缝处温度高于籽晶区域的温度。 【当前权利人】浙江昱辉阳光能源有限公司 【当前专利权人地址】浙江省嘉兴市嘉善县姚庄镇工业园宝群路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91330421753019961P 【引证次数】6.0 【被引证次数】4 【他引次数】6.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】4

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