【摘要】 微信 本发明公开了一种差分电流采样电路。该电路包括电流信号输入端(Io)、脉冲触发信号输入端(MPG)和采样电压信号输出端(Vout)，其特征在于，该电路还包括：第一PMOS晶体管(P1)、第二PMOS晶体管(P2)、第三PMOS晶体管(P3)、第四PMOS晶体管(P4)、第一NMOS晶体管(N1)、第二NMOS晶体管(N2)、第三NMOS晶体管(N3)、第四NMOS晶体管(N4)、第五NMOS晶体管(N5)和电阻(R1)。本发明的有益效果是：MOS管结构简单，工艺简单，所占面积较小，该电路的电路结构简单，减小芯片面积，节省成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】郑州单点科技软件有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】450016 河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【申请人地区】中国 【申请人城市】郑州市 【申请人区县】管城回族区 【申请号】CN201210373804.7 【申请日】2012-10-02 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103713177A 【公开公告日】2014-04-09 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】G01R19/00 【发明人】王晓娟; 周晓东; 王纪云 【主权项内容】一种差分电流采样电路，包括电流信号输入端(Io)、脉冲触发信号输入端(MPG)和采样电压信号输出端(Vout)，其特征在于，该电路还包括：第一PMOS晶体管(P1)、第二PMOS晶体管(P2)、第三PMOS晶体管(P3)、第四PMOS晶体管(P4)、第一NMOS晶体管(N1)、第二NMOS晶体管(N2)、第三NMOS晶体管(N3)、第四NMOS晶体管(N4)、第五NMOS晶体管(N5)和电阻(R1)；电压源连接至第一PMOS晶体管(P1)的源极、第二PMOS晶体管(P2)的源极和第五NMOS晶体管(N5)的漏极；电流信号输入端(Io)连接至第一NMOS晶体管(N1)的楼极；脉冲触发信号输入端(MPG)连接至第四NMOS晶体管(N4)的栅极和第五NMOS晶体管(N5)的栅极；采样电压信号输出端(Vout)连接至第四NMOS晶体管(N4)的源极和第五NMOS晶体管(N5)的源极；第一PMOS晶体管(P1)的漏极连接至第三PMOS晶体管(P3)的源极，栅极连接至第二PMOS晶体管(P2)的栅极和第四PMOS晶体管(P4)的漏极；第二PMOS晶体管(P2)的漏极连接至第四PMOS晶体管(P4)的源极和第四NMOS晶体管(N4)的漏极；第三PMOS晶体管(P3)的栅极连接至第四PMOS晶体管(P4)的栅极和第三NMOS晶体管(N3)的漏极，漏极连接至第一NMOS晶体管(N1)的栅极、第二NMOS晶体管(N2)的栅极和第三NMOS晶体管(N3)的栅极；电阻(R1)串接于第四PMOS晶体管(P4)的漏极和第三NMOS晶体管(N3)的漏极之间；第一NMOS晶体管(N1)的源极、第二NMOS晶体管(N2)的源极和第三NMOS晶体管(N3)的源极均接地(GND)。 【当前权利人】郑州单点科技软件有限公司 【当前专利权人地址】河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】914101007967915487 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2

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