【摘要】 本发明是有关于一种用于制作超薄硅单晶片的化学刻蚀装置, 其包括 : 双层容器、多层塔架及加热组件；其中所述双层容器包括内层容器和外层容器，所述内层容器内盛装有化学刻蚀溶液，所述内层容器是能够相对于所述外层容器转动的设置于所述外层容器内；所述多层塔架固定于所述外层容器上，并浸入所述内层容器内的所述化学刻蚀溶液中；所述加热组件设置于所述内层容器与所述外层容器之间。本发明的化学刻蚀装置能够增加所盛装的化学刻蚀溶液的流动性，并对化学刻蚀溶液进行加热，因此可以增加化学刻蚀溶液的活性，从而可以大幅度的提高剥离超薄硅单晶片所附带的金属层的效率，并且其成本低廉，便于进行大规模化生产。 【专利类型】发明申请 【申请人】洛阳鼎晶电子科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】471003 河南省洛阳市高新区丰华路1号交大科技产业园 【申请人地区】中国 【申请人城市】洛阳市 【申请人区县】宜阳县 【申请号】CN201210331993.1 【申请日】2012-09-10 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103681299A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L21/306; H01L21/18 【发明人】李国岭; 周锋子; 徐力; 郭金娥; 徐信富 【主权项内容】一种用于制作超薄硅单晶片的化学刻蚀装置, 其特征在于其包括 : 双层容器、多层塔架及加热组件；其中所述双层容器包括内层容器和外层容器，所述内层容器内盛装有化学刻蚀溶液，所述内层容器是能够相对于所述外层容器转动的设置于所述外层容器内；所述多层塔架固定于所述外层容器上，并浸入所述内层容器内的所述化学刻蚀溶液中；所述加热组件设置于所述内层容器与所述外层容器之间。 【当前权利人】洛阳鼎晶电子科技有限公司 【当前专利权人地址】河南省洛阳市高新区丰华路1号交大科技产业园 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91410307799179100G 【引证次数】3.0 【被引证次数】1 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】1

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