【摘要】 本发明涉及一种半导体发光器件高精度智能化集成驱动电源，其结构包括有脉冲编码控制模块、高精度供电模块、隔离整形放大模块、正弦调制输出模块和脉冲电流输出模块等五个组成部分。本发明是一种具有电流脉宽易调的智能化集成驱动电路，可以满足不同波长半导体发光器件的驱动需求，减小检测装置的体积和重量，增加新的光场模拟驱动功能，实现多种波长激光光场模拟器的综合化、集成化和智能化。本发明驱动电源能够产生高稳定度的可调连续正弦电流，可以满足不同相位测距模拟光源的驱动需求，从而实现对相位测距模拟光源的驱动。。微信 【专利类型】发明授权 【申请人】中国人民解放军总装备部军械技术研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】050000 河北省石家庄市北新街169号 【申请人地区】中国 【申请人城市】石家庄市 【申请人区县】新华区 【申请号】CN201210024648.3 【申请日】2012-02-03 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102595721B 【公开公告日】2014-04-30 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102595721B 【授权公告日】2014-04-30 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H05B37/02 【发明人】陈志斌; 刘羽翔; 薛明晰; 刘宝华; 侯章亚 【主权项内容】一种半导体发光器件高精度智能化集成驱动电源，其特征是，包括有：脉冲编码控制模块，分别与高精度供电模块、隔离整形放大模块、正弦调制输出模块和脉冲电流输出模块相接，用于向所连接的各模块发出控制指令，并提供脉冲编码信号；高精度供电模块，分别与所述脉冲编码控制模块和脉冲电流输出模块相接，用于提供高精度充电电压；隔离整形放大模块，分别与所述脉冲编码控制模块和脉冲电流输出模块相接，用于对所述脉冲编码控制模块发出的脉冲编码信号进行整形放大和与内部高速瞬变大电流的隔离；正弦调制输出模块，与所述脉冲编码控制模块相接，用于输出高稳定度的可调正弦电流；以及脉冲电流输出模块，分别与所述隔离整形放大模块和所述高精度供电模块相接，用于输出可调电流和脉宽的脉冲电流；所述脉冲编码控制模块是由单片机与可编程逻辑器件FPGA连接组成；所述高精度供电模块是由基准电压电路、高精度电压控制电路和升压电路依次连接组成；所述隔离整形放大模块是由隔离电路与栅极驱动电路连接组成；所述正弦调制输出模块是由D/A转换器、滤波电路、可调恒流源及加法器连接组成；所述脉冲编码控制模块中的所述可编程逻辑器件FPGA向所述正弦调制输出模块发出控制信号，使所述D/A转换器产生近似正弦波的电流信号，经所述滤波电路滤除高频成分，得到正弦电流信号；所述可编程逻辑器件FPGA控制所述可调恒流源输出恒定电流；两个电流信号在所述加法器中叠加后，输出需要的正弦调制信号；所述脉冲电流输出模块是由高速MOSFET、冲击脉冲产生电路、矩形脉冲产生电路、匹配与削峰电路连接组成；在需要脉冲电流输出时，由所述可编程逻辑器件FPGA发出相应的脉冲编码信号，此脉冲编码信号经过所述隔离整形放大模块获得上升沿和下降沿快速且具有一定幅值的脉冲电压，此脉冲电压作为所述高速MOSFET的栅极驱动信号，控制所述高速MOSFET的导通与关闭；在所述高速MOSFET关闭时，由所述单片机根据输出电流大小的需要，控制所述高精度供电模块输出高精度的充电电压，对设置于所述冲击脉冲产生电路或所述矩形脉冲产生电路中的储能电容进行充电；在所述高速MOSFET导通时，所述储能电容通过放电电路释放储存的电荷，输出需要的脉冲电流。 【当前权利人】中国人民解放军总装备部军械技术研究所 【当前专利权人地址】河北省石家庄市北新街169号 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】10

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