【摘要】 本发明提供了一种N型晶硅太阳能电池及其制备方法。该制备方法包括扩散制结、刻蚀、沉积减反射层、印刷及烧结步骤，在扩散制结步骤之前包括选择性背场的制备过程，选择性背场的制备过程包括：1)、在硅片基体上扩散形成一层浅掺杂的磷背场；以及2)、利用激光垂直照射磷背场上欲形成金属栅线区的区域使区域内所掺杂的磷元素富集，形成选择性背场。本发明在制备背场时只需要在硅片基体的背面制备浅掺杂的背场，节约了磷的使用量，缩短了扩散时间；采用激光照射使照射区域的磷向局部富集并向硅片基体内扩散，形成的选择性背场从活性区到金属栅线区薄层电阻逐渐降低，进而在制备金属电极时更容易形成良好的欧姆接触并获得更好的填充因子。 【专利类型】发明授权 【申请人】英利集团有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】071051 河北省保定市翠园街722号 【申请人地区】中国 【申请人城市】保定市 【申请人区县】竞秀区 【申请号】CN201210271346.6 【申请日】2012-07-31 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102769072B 【公开公告日】2014-12-10 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102769072B 【授权公告日】2014-12-10 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/18; H01L31/0224 【发明人】杨德成; 郎芳; 李高非; 胡志岩; 熊景峰 【主权项内容】一种N型晶硅太阳能电池的制备方法，包括扩散制结、刻蚀、沉积减反射层、印刷及烧结步骤，其特征在于，在所述扩散制结步骤之前包括选择性背场的制备过程，所述选择性背场的制备过程包括：1)、在硅片基体上扩散形成一层浅掺杂的磷背场；以及2)、利用激光垂直照射所述磷背场上欲形成金属栅线区的区域使所述区域内所掺杂的磷元素富集，形成所述选择性背场，所述步骤2)中采用的激光的功率为0.5～10W，脉冲宽度为100ps～500ns，波长为300～1600nm，频率为100Hz～200KHz，光斑的直径为5～100μm。 【当前权利人】一道新能源科技股份有限公司 【当前专利权人地址】浙江省衢州市百灵南路43号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】911306051060643601 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】4

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