【摘要】 本发明提供了一种硅片的湿法刻蚀方法包括：使用氢氟酸对扩散制结后得到的硅片的各个表面进行润洗；用去离子水对硅片的各个表面进行冲洗；将硅片进行表面干燥；使用氢氟酸、硝酸和硫酸的混合液对硅片的侧面和背面进行刻蚀。本发明还提供了一种太阳能电池的生产方法，依次包括硅片检测，表面制绒处理，扩散制结处理，上述技术方案所述的湿法刻蚀处理，镀减反射膜处理，制作正面电极及背面电极和烧结处理。本发明提供的硅片湿法刻蚀方法减少了对硅片正表面的腐蚀，对正表面起到保护作用，改善了硅片的正表面的外观，并且边缘绝缘较好。采用所述湿法刻蚀方法制备的太阳能电池反向电流不合格的百分比小于0.2％，漏电减少，合格率高。 【专利类型】发明授权 【申请人】英利能源(中国)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】071051 河北省保定市朝阳北大街3399号 【申请人地区】中国 【申请人城市】保定市 【申请人区县】竞秀区 【申请号】CN201210060376.2 【申请日】2012-03-08 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102560686B 【公开公告日】2014-11-19 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102560686B 【授权公告日】2014-11-19 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/18; C30B33/10; C23F1/24; H01L21/02; H01L21/306 【发明人】李高非; 徐卓; 郎芳; 崔景光 【主权项内容】一种硅片的湿法刻蚀方法，包括以下步骤：a)使用氢氟酸对扩散制结后得到的硅片的各个表面进行润洗；所述步骤a)中氢氟酸的质量浓度为5％～10％；b)用去离子水对所述步骤a)得到的硅片的各个表面进行冲洗；c)将所述步骤b)得到的硅片进行表面干燥；d)使用氢氟酸、硝酸和硫酸的混合液对所述步骤c)得到的硅片的侧面和背面进行刻蚀。 微信 【当前权利人】英利能源(中国)有限公司 【当前专利权人地址】河北省保定市朝阳北大街3399号 【专利权人类型】其他有限责任公司 【统一社会信用代码】91130600667708103C 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】15

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