【摘要】 本发明提供一种硅片的抛光方法。所述抛光方法包括以下步骤：S1，将硅片置于一等离子体发生装置中的基片架上；其中所述基片架周围设有用以提供一垂直于所述基片架表面的约束磁场的磁线圈或磁钢；S2，向所述等离子体发生装置中通入反应气体；S3，开启等离子体发生装置中的激发电源，反应气体经激发形成等离子体；S4，等离子体在所述磁线圈或磁钢产生的约束磁场的作用下对所述硅片进行刻蚀抛光。本发明所述抛光方法不但可减少环境污染，而且抛光效果较好。 【专利类型】发明申请 【申请人】苏州阿特斯阳光电力科技有限公司; 阿特斯(中国)投资有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】虎丘区 【申请号】CN201210323897.2 【申请日】2012-09-05 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103668468A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】C30B33/12; C23F4/00; H01L21/02; H01L31/18 【发明人】邹帅; 王栩生; 章灵军 【主权项内容】一种硅片的抛光方法，其特征在于：所述抛光方法包括以下步骤：S1，将硅片置于一等离子体发生装置中的基片架上；其中所述基片架周围设有用以提供一垂直于所述基片架表面的约束磁场的磁线圈或磁钢；S2，向所述等离子体发生装置中通入反应气体；S3，开启等离子体发生装置中的激发电源，反应气体经激发形成等离子体；S4，等离子体在所述磁线圈或磁钢产生的约束磁场的作用下对所述硅片进行刻蚀抛光。 【当前权利人】苏州阿特斯阳光电力科技有限公司; 阿特斯(中国)投资有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号; 江苏省苏州市高新技术产业开发区鹿山路199号 【专利权人类型】有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资); 有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91320505788380992U; 91320505691330112T 【引证次数】1.0 【被引证次数】3 【他引次数】1.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】3

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