【摘要】 本发明公开了一种半导体激光器阵列单芯片的封装方法，包括以下步骤：1)将氮化铝散热片按半导体激光器巴条尺寸切割；2)将氮化铝散热片与无氧铜热沉块焊接于一起，按单芯片排列周期将氮化铝散热片切割出电绝缘槽；3)用机械夹具及氧化铝陶瓷垫片将氮化铝散热片、焊料及巴条压合在一起，置入高温回流炉中高温焊接；4)用高速旋转的切片沿电绝缘槽方向将巴条割开，使巴条上的芯片变成独立的单芯片；5)用打线机将一单芯片阴极与相邻单芯片阳极金线连接，并将集成的芯片一端的阴极和另一端的阳极分别连接到无氧铜热沉块的电极片上，以备连接外部电源。本发明的封装方法，使用寿命长、工艺简单、体积小、稳定性好、功率高，应用广泛。 【专利类型】发明申请 【申请人】苏州长光华芯光电技术有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215000 江苏省苏州市高新区科技城锦峰路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】虎丘区 【申请号】CN201210313383.9 【申请日】2012-08-30 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103633549A 【公开公告日】2014-03-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103633549B 【授权公告日】2016-01-20 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】H01S5/02; H01S5/022; H01S5/024 【发明人】李江; 廖新胜; 张丽芳; 江先锋; 孙博书 【主权项内容】一种半导体激光器阵列单芯片的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1)将氮化铝散热片(2)按照半导体激光器的巴条尺寸切割；步骤2)将氮化铝散热片(2)与无氧铜热沉块(1)用焊料焊接于一起，并按照半导体激光器巴条上的单芯片(3)排列周期将氮化铝散热片(2)切割出电绝缘槽(4)；步骤3)用特殊设计的机械夹具及氧化铝陶瓷垫片将氮化铝散热片、焊料及半导体激光器bar条压合于一起，并将其置入高温回流炉中进行高温焊接，最高温度达280℃；步骤4)用高速旋转的切片沿半导体激光器巴条芯片之间的切槽方向将巴条切割开，使得巴条上的芯片变成独立的单芯片(3)；步骤5)用打线机将独立的单芯片(3)阴极与相邻单芯片(3)的阳极金线连接，并将平行排列的集成的半导体激光器巴条上的芯片一端的阴极和另一端的阳极分别连接到无氧铜热沉块(1)的电极片(5)上，以备电性连接外部电源。 【当前权利人】苏州长光华芯光电技术股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203 【引证次数】5.0 【被引证次数】8 【他引次数】5.0 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】8

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1790830139.html