【摘要】 本发明涉及一种具有复合结构的横向双极型晶体管，其具体包括衬底; 设置于衬底上的第一RESURF区；依次设置的集电区、基区以及发射区；所述发射区上设置有发射极，用于平缓漂移区电场变化的第二RESURF区以及在所述集电区的欧姆接触区周围成形的多个浮置环，所述浮置环位于所述集电区表面，并靠近所述欧姆接触区；通过设置第二RESURF区，可以使得横向双极型晶体管漂移区的电场变得平缓，同时降低整个器件的比导通电阻；所述浮置环自身存在的空间电荷与所述集电区漂移区内空间电荷去连成一片，增加了漂移区空间电荷的面积，大大减缓了空间电场在所述集电区的欧姆接触区边缘的聚集，使得相同漂移区长度可以承担更高的阻断电压。 【专利类型】发明申请 【申请人】苏州英能电子科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215163 江苏省苏州市苏州高新区科技城科灵路78号苏高新软件园8号楼3F 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】虎丘区 【申请号】CN201210330959.2 【申请日】2012-09-09 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103681809A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103681809B 【授权公告日】2016-08-17 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】H01L29/735; H01L29/06 【发明人】崔京京; 张作钦 【主权项内容】一种具有复合结构的横向双极型三极管，包括：衬底; 设置于衬底上的第一RESURF区；依次设置的集电区、基区以及发射区；其中，所述基区内形成有基区欧姆接触区，所述基区欧姆接触区上设置有基极；所述集电区内形成有集电区欧姆接触区，所述集电区欧姆接触区上设置有集电极；所述发射区上设置有发射极，其特征在于，还包括：用于平缓漂移区电场变化的第二RESURF区；以及在所述集电区的欧姆接触区周围成形的多个浮置环，所述浮置环位于所述集电区表面，并靠近所述欧姆接触区。 该数据由<>整理 【当前权利人】苏州英能电子科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市苏州高新区科技城科灵路78号苏高新软件园8号楼3F 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91320505582252768Q 【引证次数】6.0 【被引证次数】3 【他引次数】6.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】3

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